[發明專利]一種極紫外多層膜及其制備方法在審
| 申請號： | 202110554979.7 | 申請日： | 2021-05-21 |
| 公開（公告）號： | CN113204179A | 公開（公告）日： | 2021-08-03 |
| 發明（設計）人： | 喻波;姚舜;鄧文淵 | 申請（專利權）人： | 中國科學院長春光學精密機械與物理研究所 |
| 主分類號： | G03F7/20 | 分類號： | G03F7/20;C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 深圳市科進知識產權代理事務所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 魏毅宏 |
| 地址： | 130033 吉林省長春*** | 國省代碼： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 紫外 多層 及其 制備 方法 | ||
1.一種極紫外多層膜，其特征在于，包括：依次層疊設置的基底、阻擋層及表面保護層，所述阻擋層由多個周期設置的阻擋單元構成，任意一個阻擋單元包括依次設置的Si層、第一擴散阻擋層、Mo層及第二擴散阻擋層。
2.根據權利要求1所述的極紫外多層膜，其特征在于，所述基底為Si片、熔石英、微晶玻璃或ULE材料。
3.根據權利要求1所述的極紫外多層膜，其特征在于，所述第一擴散阻擋層及所述第二擴散阻擋層為B-C-N三元化合物。
4.根據權利要求3所述的極紫外多層膜，其特征在于，所述Mo層在所述Si層上界面的擴散阻擋層厚度為0.8nm，所述Si層在Mo層上的界面的擴散阻擋層厚度為0.4nm。
5.根據權利要求4所述的極紫外多層膜，其特征在于，所述擴散阻擋層材料為B-C-N三元化合物材料。
6.根據權利要求1所述的極紫外多層膜，其特征在于，所述表面保護層材料為Ti-Al-N三元化合物材料。
7.根據權利要求6所述的極紫外多層膜，其特征在于，所述表面保護層的厚度為2～4nm。
8.根據權利要求1所述的極紫外多層膜，其特征在于，所述周期為60周期，周期厚度為7nm。
9.一種根據權利要求1至8任一項所述的極紫外多層膜的制備方法，其特征在于，包括下述步驟：
在基底上依次層疊設置阻擋層及表面保護層，所述阻擋層由多個周期設置的阻擋單元構成，任意一個阻擋單元包括依次設置的Si層、第一擴散阻擋層、Mo層及第二擴散阻擋層。
10.根據權利要求9所述的極紫外多層膜的制備方法，其特征在于，所述采用反應磁控濺射在所述基底表面沉積阻擋層，其中：濺射靶為B4C靶，反應氣體為N2氣。
11.根據權利要求9所述的極紫外多層膜的制備方法，其特征在于，采用磁控濺射在所述阻擋層表面沉積表面保護層，其中：濺射靶為Ti-Al合金靶，反應氣體為N2氣。
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