[發明專利]一種新型寬帶太赫茲CMOS低噪聲放大器在審
| 申請號： | 202110554587.0 | 申請日： | 2021-05-21 |
| 公開（公告）號： | CN113285674A | 公開（公告）日： | 2021-08-20 |
| 發明（設計）人： | 陳波;李路;周春元;羅俊;高偉 | 申請（專利權）人： | 珠海微度芯創科技有限責任公司 |
| 主分類號： | H03F1/26 | 分類號： | H03F1/26;H03F1/42 |
| 代理公司： | 北京華際知識產權代理有限公司 11676 | 代理人： | 鄧大文 |
| 地址： | 519000 廣東省珠海市高*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 新型 寬帶 赫茲 cmos 低噪聲放大器 | ||
1.一種新型寬帶太赫茲CMOS低噪聲放大器，其特征在于：該放大器包括偏置器、片上變壓器、T型電感結構的等效低耦合系數的變壓器、運算放大器；
所述偏置器用于進行饋電，作為放大器電路的輸入端進行供電；所述片上變壓器用于提高增益、增大調諧范圍及降低功耗；所述T型電感結構的等效低耦合系數的變壓器其功能等效于片上變壓器，用于進一步降低匹配網絡的插損，提高電路增益；所述運算放大器用于進行阻抗變換；
所述偏置器與運算放大器相連接；所述片上變壓器與運算放大器相連接；所述運算放大器與T型電感結構的等效低耦合系數的變壓器相連接。
2.根據權利要求1所述的一種新型寬帶太赫茲CMOS低噪聲放大器，其特征在于：所述片上變壓器包括初級線圈、次級線圈；
所述初級線圈與次級線圈以同側并聯的方式進行連接。
3.根據權利要求2所述的一種新型寬帶太赫茲CMOS低噪聲放大器，其特征在于：所述片上變壓器的電壓計算方式如下：
V1＝jωL1I1+jωMI2
其中，V1為片上變壓器的電壓；L1為初級線圈的電感；I1為初級線圈的電流；I2為次級線圈的電流；M為初級線圈與次級線圈的互感系數；j為虛數單位；ω為角速度。
4.根據權利要求1所述的一種新型寬帶太赫茲CMOS低噪聲放大器，其特征在于：所述T型電感結構的等效低耦合系數的變壓器的電壓計算方式如下：
V2＝jω(L1-M)I1+jωM(I1+I2)＝jωL1I1+jωMI2
其中，V2為T型電感結構的等效低耦合系數的變壓器的等效電壓。
5.根據權利要求1所述的一種新型寬帶太赫茲CMOS低噪聲放大器，其特征在于：所述T型電感結構的等效低耦合系數的變壓器中的耦合系數的范圍為0.2到0.95，是一個可以靈活設計的變量。
6.根據權利要求1所述的一種新型寬帶太赫茲CMOS低噪聲放大器，其特征在于：所述T型電感結構的等效低耦合系數的變壓器中的電感Q值大于10，小于20。
7.根據權利要求1所述的一種新型寬帶太赫茲CMOS低噪聲放大器，其特征在于：所述T型電感結構的等效低耦合系數的變壓器中的單個電感值到達100pH時，自諧振頻率大于200GHz。
8.根據權利要求1所述的一種新型寬帶太赫茲CMOS低噪聲放大器，其特征在于：在該放大器中，輸入輸出級采用了傳統的片上變壓器，用來將單端信號轉成差分信號。
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