[發明專利]一種具有高正向電流密度的溝槽肖特基二極管

在審

• 申請號: 202110553005.7
• 申請日: 2021-05-20
• 公開（公告）號: CN113193053A
• 公開（公告）日: 2021-07-30
• 發明（設計）人: 孔謀夫;胡澤偉;陳宗棋;高佳成;王彬;郭嘉欣;黃柯
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/47
• 代理公司: 電子科技大學專利中心 51203
• 代理人: 甘茂

1.一種高正向電流密度的氧化鎵溝槽肖特基二極管，包括：第一導電類型重摻雜襯底5，位于所述第一導電類型重摻雜襯底5下表面的金屬陰極6，位于所述第一導電類型重摻雜襯底5上表面的第一導電類型漂移區1；其特征在于，

所述第一導電類型漂移區1的上表面開設有兩個溝槽、且對稱分布于兩側；所述溝槽的底部分別設置第二金屬陽極4，溝槽的側壁與第一導電類型漂移區的上表面均設置第一金屬陽極3、且均形成肖特基接觸，所述第一金屬陽極3與第二金屬陽極4相接觸；所述第一導電類型漂移區1中還設置有氧化物絕緣層2，所述氧化物絕緣層位于第二金屬陽極4下表面、且一一對應設置。

2.按權利要求1所述高正向電流密度的氧化鎵溝槽肖特基二極管，其特征在于，所述氧化物絕緣層2替換為高阻區。

3.按權利要求1所述高正向電流密度的氧化鎵溝槽肖特基二極管，其特征在于，所述第二金屬陽極4由多個第二金屬陽極單元構成、且單元間設置第一陽極金屬，第一陽極金屬與第一導電類型漂移區形成肖特基接觸。

4.按權利要求1所述高正向電流密度的氧化鎵溝槽肖特基二極管，其特征在于，所述第一導電類型漂移區1中還設置有兩個第一導電類型增強型摻雜區7，所述第一導電類型增強型摻雜區包覆所述溝槽與氧化物絕緣層，并且、第一導電類型增強型摻雜區的摻雜濃度大于第一導電類型漂移區。

5.一種高正向電流密度的碳化硅溝槽結勢壘肖特基二極管，包括：第一導電類型重摻雜襯底5，位于所述第一導電類型重摻雜襯底5下表面的金屬陰極6，位于所述第一導電類型重摻雜襯底5上表面的第一導電類型漂移區1；其特征在于，

所述第一導電類型漂移區1的上表面開設有兩個溝槽、且對稱分布于兩側；所述溝槽的底部分別設置第二金屬陽極4，溝槽的側壁與第一導電類型漂移區的上表面均設置第一金屬陽極3、且均形成肖特基接觸，所述第一金屬陽極3與第二金屬陽極4相接觸；所述第一導電類型漂移區1中還設置有第二導電類型重摻雜區2，所述第二導電類型重摻雜區位于第二金屬陽極4下表面、且一一對應設置。

6.按權利要求5所述高正向電流密度的氧化鎵溝槽肖特基二極管，其特征在于，所述第二金屬陽極4由多個第二金屬陽極單元構成、且單元間設置第一陽極金屬，第一陽極金屬與第一導電類型漂移區形成肖特基接觸。

7.一種高正向電流密度的三維碳化硅溝槽結勢壘肖特基二極管，包括：第一導電類型重摻雜襯底5，位于所述第一導電類型重摻雜襯底5下表面的金屬陰極6，位于所述第一導電類型重摻雜襯底5上表面的第一導電類型漂移區1；其特征在于，

所述第一導電類型漂移區1的上表面設置有四個深槽、且分別位于四邊的中點位置；所述溝槽的底部分別設置第二金屬陽極4，溝槽的側壁與第一導電類型漂移區的上表面均設置第一金屬陽極3、且均形成肖特基接觸，所述第一金屬陽極3與第二金屬陽極4相接觸；所述第一導電類型漂移區1中還設置有第二導電類型重摻雜區，所述第二導電類型重摻雜區位于第二金屬陽極4下表面、且一一對應設置。

8.按權利要求1、5或7所述肖特基二極管，其特征在于，所述第一導電類型為N型，第二導電類型為P型。