[發(fā)明專利]扇出型封裝方法及扇出型封裝器件

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• 申請日: 2021-05-20
• 公開（公告）號: CN113380637A
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發(fā)明（設計）人: 劉在福;曾昭孔;郭瑞亮;陳武偉
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州通富超威半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/52;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/488
• 代理公司: 深圳市威世博知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 黎堅怡

1.一種扇出型封裝方法，其特征在于，包括：

在硅片的第一表面形成多個第一凹槽；

在至少部分所述第一凹槽內(nèi)設置芯片，其中，所述芯片包括相背設置的功能面和非功能面，所述非功能面朝向所述第一凹槽的底部，且所述功能面上設置有第一導電柱，所述第一導電柱突出于所述第一表面；

在所述第一表面形成塑封層，所述塑封層覆蓋所述第一凹槽，且所述第一導電柱從所述塑封層中露出；

從與所述第一表面相背設置的第二表面一側(cè)對所述硅片進行研磨，直至所述非功能面位置處的所述硅片的厚度小于或等于閾值。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述扇出型封裝方法，其特征在于，

所述在至少部分所述第一凹槽內(nèi)設置芯片的步驟之前，還包括：在所述第一表面形成多個第二凹槽，所述第二凹槽的深度大于或等于所述第一凹槽的深度，且所述第二凹槽在所述第一表面上的正投影的面積小于所述第一凹槽在所述第一表面上的正投影的面積；

所述在所述第一表面形成塑封層的步驟之前，還包括：在所述第二凹槽位置處形成第二導電柱；

所述在所述第一表面形成塑封層的步驟中，所述第二導電柱從所述塑封層中露出。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的扇出型封裝方法，其特征在于，所述從與所述第一表面相背設置的第二表面一側(cè)對所述硅片進行研磨，直至所述非功能面位置處的所述硅片的厚度小于或等于閾值的步驟，包括：

從與所述第一表面相背設置的第二表面一側(cè)對所述硅片進行研磨，直至所述第二導電柱位置處的所述硅片完全去除。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的扇出型封裝方法，其特征在于，所述在至少部分所述第一凹槽內(nèi)設置芯片的步驟，包括：

利用底填膠將所述芯片的所述非功能面固定設置于所述第一凹槽內(nèi)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的扇出型封裝方法，其特征在于，所述利用底填膠將所述芯片的所述非功能面固定設置于所述第一凹槽內(nèi)的步驟之前，還包括：

在所述第一凹槽的側(cè)壁和/或底部形成散熱層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型封裝方法，其特征在于，所述第一表面設置有多個劃片槽，所述在硅片的第一表面形成多個第一凹槽的步驟，包括：

利用刀具從第一表面一側(cè)對準相鄰兩個所述劃片槽相對設置的兩個側(cè)壁，并切割去除掉相鄰兩個劃片槽之間的所述硅片，以形成所述第一凹槽；其中，所述第一凹槽的深度大于劃片槽的深度。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型封裝方法，其特征在于，所述從與所述第一表面相背設置的第二表面一側(cè)對所述硅片進行研磨，直至所述非功能面位置處的所述硅片的厚度小于或等于閾值的步驟之后，還包括：

利用刀具對準相鄰兩個所述第一凹槽之間的所述硅片的中心線，并切割去除掉相鄰兩個第一凹槽之間的部分結(jié)構(gòu)，以分裂所述硅片。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型封裝方法，其特征在于，所述從與所述第一表面相背設置的第二表面一側(cè)對所述硅片進行研磨，直至所述非功能面位置處的所述硅片的厚度小于或等于閾值的步驟之前或者之后，還包括：

在所述塑封層背離所述第一表面一側(cè)形成再布線層，所述再布線層與所述第一導電柱電連接；

在所述再布線層背離所述塑封層一側(cè)形成絕緣層，所述絕緣層對應所述再布線層的位置設置有多個第一開口；

在所述第一開口內(nèi)形成球下金屬層；

在每個所述球下金屬層上形成焊球。

9.一種扇出型封裝器件，其特征在于，所述扇出型封裝器件由權(quán)利要求1-8中任一項所述的扇出型封裝方法形成。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的扇出型封裝器件，其特征在于，所述第一導電柱的高度大于或等于所述芯片厚度的1/2。