[發明專利]一種承受內壓及各種外部載荷的接管靜強度的校核方法在審
| 申請號： | 202110552924.2 | 申請日： | 2021-05-20 |
| 公開（公告）號： | CN113297693A | 公開（公告）日： | 2021-08-24 |
| 發明（設計）人： | 邱硯明;徐樹林;牟力波;支南;徐文吉;范業嬌;劉艷鵬 | 申請（專利權）人： | 哈電發電設備國家工程研究中心有限公司 |
| 主分類號： | G06F30/17 | 分類號： | G06F30/17;G06F119/14 |
| 代理公司： | 哈爾濱市偉晨專利代理事務所(普通合伙) 23209 | 代理人： | 趙君 |
| 地址： | 150000 黑龍江*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 承受 各種 外部 載荷 接管 強度 校核 方法 | ||
本發明涉及一種承受內壓及各種外部載荷的接管靜強度的校核方法，屬于承壓設備技術領域。包括接管，所述接管為變徑接管，所述的接管的變徑處為b?b截面，具體校核方法包括下步驟：步驟ⅰ、校核接管壁厚；步驟ⅱ、校核接管b?b截面的膜及純剪切應力值；步驟ⅲ、校核接管b?b截面的膜加彎及純剪切應力值；步驟ⅳ、推導膜加彎曲應力限制值系數α。明確接管校核截面的一次及一次膜加彎曲及純剪切應力的校核方法，解決工程設計人員設計此類零部件的困惑，切實可行的應用到實際的設計活動中。
技術領域
本發明涉及一種接管靜強度的校核方法，屬于承壓設備技術領域。
背景技術
目前承壓設備遠離開孔補強區域的接管的一次應力的靜強度校核，沒有資料給予明確的校核方法。特別是接管受外載荷時的靜強度的校核沒有資料能夠給出確切的校核方法。
基于上述問題，亟需提出一種承受內壓及各種外部載荷時的接管靜強度的校核方法，以解決上述技術問題。
發明內容
本發明提供一種承受內壓及各種外部載荷的接管靜強度的校核方法，其目的是為了解決上述技術問題，進而提供基于承受內壓及各種外部載荷的接管靜強度的校核方法。在下文中給出了關于本發明的簡要概述，以便提供關于本發明的某些方面的基本理解。應當理解，這個概述并不是關于本發明的窮舉性概述。它并不是意圖確定本發明的關鍵或重要部分，也不是意圖限定本發明的范圍。
本發明的技術方案：
一種承受內壓及各種外部載荷的接管靜強度的校核方法，包括接管，所述接管為變徑接管，所述的接管的變徑處為b-b截面，具體校核方法包括下步驟：
步驟ⅰ、校核接管壁厚；
步驟ⅱ、校核接管b-b截面的膜及純剪切應力值；
步驟ⅲ、校核接管b-b截面的膜加彎及純剪切應力值；
步驟ⅳ、推導膜加彎曲應力限制值系數α。
優選的：所述的步驟ⅰ中，校核接管b-b截面壁厚δnt的方法包括：
步驟ⅰ1、校核接管計算內壓PC；
PC≤0.4[σ]tφ (1)；
式中，[σ]t-材料設計溫度下許用應力，φ-焊接接頭系數；
步驟ⅰ2、接管計算壁厚δnt；
式中，di-接管校核截面內徑，說明書附圖中圖2中的δn是接管實際采用的壁厚。
優選的：所述的步驟ⅱ中，校核各載荷在接管b-b截面壁產生的當量膜應力值的方法包括：
步驟ⅱ1、計算接管因內壓在b-b截面壁產生的環向膜應力σθ；
式中，K-接管的外徑與內徑比值；
步驟ⅱ2、計算接管因內壓在b-b截面壁產生的軸向膜應力σLP；
步驟ⅱ3、計算接管因內壓在b-b截面壁產生的徑向膜應力σrP；
步驟ⅱ4、計算載荷彎矩M在接管b-b截面壁產生的軸向彎曲膜應力σM；
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于哈電發電設備國家工程研究中心有限公司，未經哈電發電設備國家工程研究中心有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110552924.2/2.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
