[發明專利]制備方法及選擇性發射極太陽能電池

在審

• 申請號: 202110551380.8
• 申請日: 2021-05-20
• 公開（公告）號: CN113380922A
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發明（設計）人: 楊蘇平;謝曉鋒;王愛春;林綱正;陳剛
• 申請（專利權）人: 廣東愛旭科技有限公司;浙江愛旭太陽能科技有限公司;天津愛旭太陽能科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0236
• 代理公司: 深圳盛德大業知識產權代理事務所(普通合伙) 44333
• 代理人: 賈振勇

1.一種選擇性發射極太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、對制絨后的硅片的絨面一側進行重摻雜擴散處理，使形成絨面后的所述硅片的正面形成PSG層與重摻雜層；

S2、通過掩膜網版在所述硅片的正面印制掩膜層后烘干，其中，所述掩膜層與所述太陽能電池的正電極在所述硅片上的位置對應；

S3、將所述硅片置于腐蝕液中，通過腐蝕液腐蝕未被所述掩膜層覆蓋的所述PSG層以及位于所述硅片的正面表層的所述重摻雜層，使所述硅片形成輕摻雜層；

S4、通過清洗液去除位于未被腐蝕的所述重摻雜層上的所述掩膜層以及所述掩膜層下的所述PSG層；

S5、對所述硅片進行退火處理并在其背面鍍制鈍化膜；

S6、在所述硅片的正面絲網印刷正電極，在背面印刷背電極與背電場，其中，所述正電極與所述硅片上未被腐蝕的所述重摻雜層對應。

2.如權利要求1所述的選擇性發射極太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述步驟S1具體包括步驟：

S11、對制絨后的硅片的絨面一側進行擴散處理，爐溫為700-800℃，并通入O2生成薄氧化層；

S12、通入攜源氮氣200-500s，流量為100-1000sccm/min，壓力為20-150Pa，在形成絨面后的所述硅片的正面薄氧化層上生成富源的PSG層；

S13、在850-930℃的條件下，對所述PSG層高溫推進摻雜源，時間為200-500s；

S14、降溫到750-820℃再對所述PSG層推進摻雜源10-30min，使形成絨面后的所述硅片的正面形成重摻雜層，其中，所述重摻雜層的方阻為70-100Ω/□。

3.如權利要求1所述的選擇性發射極太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述步驟S2中的所述掩膜層為蠟膜。

4.如權利要求1所述的選擇性發射極太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述步驟S3中的所述腐蝕液由濃度為10-20％的HF溶液與濃度為10-60ppm的O₃混合組成。

5.如權利要求1所述的選擇性發射極太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述步驟S3中被腐蝕過后的所述重摻雜層的方阻為120-180Ω/□。

6.如權利要求1所述的選擇性發射極太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述步驟S5中的鈍化膜為氮化硅膜。

7.如權利要求6所述的選擇性發射極太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述氮化硅膜的厚度為73-80nm，折射率為2.0-2.2。

8.如權利要求1所述的選擇性發射極太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述清洗液包括由濃度為5-12％的BDG溶液與濃度為1-5％的NOH溶液組成的混合溶液。

9.如權利要求8所述的選擇性發射極太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述清洗液還包括濃度為5-15％的HF溶液。

10.一種選擇性發射極太陽能電池，其特征在于，通過如權利要求1-9任一項所述的選擇性發射極太陽能電池的制備方法制備得到。