[發明專利]一種采用PVT法制備碳化硅單晶的生長裝置

在審

• 申請號: 202110550421.1
• 申請日: 2021-05-20
• 公開（公告）號: CN113106549A
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發明（設計）人: 劉鵬;徐文立;潘建棟;袁曉蕓
• 申請（專利權）人: 寧波恒普真空技術有限公司
• 主分類號: C30B29/36
• 分類號: C30B29/36;C30B23/00
• 代理公司: 北京高沃律師事務所 11569
• 代理人: 張德才

1.一種采用PVT法制備碳化硅單晶的生長裝置，其特征在于，包括密封腔、加熱結構、保溫結構、測溫機構、旋轉機構和升降機構；所述保溫結構設置于所述密封腔內；所述加熱結構設置于所述保溫結構內，所述測溫機構設置于所述密封腔上；坩堝設置于所述保溫結構內，籽晶托設置于所述坩堝內；

所述旋轉機構用于驅動所述坩堝的旋轉，所述升降機構用于驅動所述坩堝的升降，或，所述旋轉機構用于驅動所述籽晶托的旋轉，所述升降機構用于驅動所述籽晶托的升降。

2.根據權利要求1所述的采用PVT法制備碳化硅單晶的生長裝置，其特征在于，所述旋轉升降機構設置于所述坩堝的底部或頂部；或，所述旋轉升降機構設置于所述坩堝內上部，所述籽晶托設置于所述旋轉升降機構底部。

3.根據權利要求1所述的采用PVT法制備碳化硅單晶的生長裝置，其特征在于，所述密封腔包括腔體、上法蘭和下法蘭，所述上法蘭可開啟的設置于所述腔體頂部，所述下法蘭可開啟的設置于所述腔體底部；所述腔體上設置有抽氣口。

4.根據權利要求1所述的采用PVT法制備碳化硅單晶的生長裝置，其特征在于，所述加熱結構包括上部加熱區域、下部加熱區域和中部加熱區域；所述上部加熱區域、所述下部加熱區域和所述中部加熱區域獨立運行或組合運行；所述上部加熱區域設置于所述保溫結構內上部；所述下部加熱區域設置于坩堝的底部；所述中部加熱區域設置于所述坩堝的四周。

5.根據權利要求4所述的采用PVT法制備碳化硅單晶的生長裝置，其特征在于，所述上部加熱區域、所述下部加熱區域和所述中部加熱區域均包括多個獨立運行或組合運行的加熱電阻。

6.根據權利要求1所述的采用PVT法制備碳化硅單晶的生長裝置，其特征在于，所述測溫機構包括上部測溫設備、下部測溫設備和中部測溫設備，所述上部測溫設備和所述下部測溫設備分別設置于所述密封腔頂部和底部，所述中部測溫設備位于密封腔的中部。

7.根據權利要求6所述的采用PVT法制備碳化硅單晶的生長裝置，其特征在于，所述上部測溫設備、所述下部測溫設備和中部測溫設備為紅外測溫儀或者熱電偶。

8.根據權利要求1所述的采用PVT法制備碳化硅單晶的生長裝置，密封腔結構為雙夾套水冷結構。