[發(fā)明專利]一種抑制熒光粉中Eu3+ 有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110550035.2 | 申請日: | 2021-05-20 |
| 公開(公告)號: | CN113249119B | 公開(公告)日: | 2022-06-21 |
| 發(fā)明(設計)人: | 張家驊;劉雪晴;張亮亮;吳昊;武華君;潘國徽 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學院長春光學精密機械與物理研究所 |
| 主分類號: | C09K11/59 | 分類號: | C09K11/59 |
| 代理公司: | 深圳市科進知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 44316 | 代理人: | 魏毅宏 |
| 地址: | 130033 吉林省長春*** | 國省代碼: | 吉林;22 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 抑制 熒光粉 eu base sup | ||
1.一種抑制BaSi2O2N2: Eu2+熒光粉中Eu3+數(shù)量的方法,其特征在于,制備BaSi2O2N2: Eu2+熒光粉的原料中包括三價金屬氧化物M2O3;
M為Er、Dy、Tm中的至少一種;
制備BaSi2O2N2: Eu2+熒光粉的原料組分包括BaCO3、Eu2O3、M2O3、SiO2和Si3N4,摩爾比為(2-2x-3y):x:y:1:1,制備得到的BaSi2O2N2: Eu2+熒光粉的化學通式為Ba1-x-1.5yMySi2O2N2:xEu2+;其中,0.01≤x≤0.04,0.001≤y≤0.04;
包括下述過程:
按化學計量比稱取原料組分BaCO3、Eu2O3、M2O3、SiO2和Si3N4,研磨混合均勻,得到的混合物粉體;
將混合物粉體在還原氣氛下進行高溫燒結(jié);
燒結(jié)完成后,冷卻至室溫,研磨。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抑制BaSi2O2N2: Eu2+熒光粉中Eu3+數(shù)量的方法,其特征在于,所述還原氣氛為氫氣還原氣氛。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抑制BaSi2O2N2: Eu2+熒光粉中Eu3+數(shù)量的方法,其特征在于,高溫燒結(jié)的燒結(jié)溫度為1200~1600℃,燒結(jié)時間為2~10h。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的抑制BaSi2O2N2: Eu2+熒光粉中Eu3+數(shù)量的方法,其特征在于,高溫燒結(jié)的燒結(jié)溫度為1300~1500℃,燒結(jié)時間為5~7h。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國科學院長春光學精密機械與物理研究所,未經(jīng)中國科學院長春光學精密機械與物理研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
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