[發明專利]運用超高壓正負復合脈沖電場的腫瘤消融設備及方法

在審

• 申請號: 202110548021.7
• 申請日: 2021-05-19
• 公開（公告）號: CN113274119A
• 公開（公告）日: 2021-08-20
• 發明（設計）人: 張海燕
• 申請（專利權）人: 北京金石翔宇科技有限公司
• 主分類號: A61B18/12
• 分類號: A61B18/12
• 代理公司: 成都方圓聿聯專利代理事務所(普通合伙) 51241
• 代理人: 茍銘

1.一種運用超高壓正負復合脈沖電場的腫瘤消融設備，其特征在于，包括電源模塊、控制模塊、傳輸電路、紅外識別手勢控制裝置和采樣電路；所述控制模塊接收紅外識別手勢控制裝置的信號，所述控制模塊分別連接電源模塊、采用電路和傳輸電路，所述控制模塊的主控芯片為芯片STM32F103VE。

2.根據權利要求1所述的運用超高壓正負復合脈沖電場的腫瘤消融設備，其特征在于，所述電源模塊包括芯片AMS1086、電容C2、電容C5、電容C10和電容C12；所述芯片AMS1086的第1引腳連接地，所述芯片AMS1086的第2引腳連接芯片AMS1086的第4引腳，所述芯片AMS1086的第3引腳分別連接接地電容C5、接地電容C2和5V電源。

3.根據權利要求1所述的運用超高壓正負復合脈沖電場的腫瘤消融設備，其特征在于，所述傳輸電路包括芯片SP3485E、電阻、三極管Q1、穩壓管D2、穩壓管D3、電容C17和電容C18、5V電源；所述電阻包括電阻電阻R9、電阻R10、電阻R11、電阻R12、電阻R13、電阻R14；

所述芯片SP3485E的第1引腳連接電阻R12，所述芯片SP3485E的第2引腳分別連接芯片SP3485E的第3引腳、三極管Q1的集電極和電阻R10的一端，所述芯片SP3485E的第4引腳分別連接電阻R9的一端、電阻R11的一端，所述電阻R11的另一端連接5V電源，所述電阻R9的另一端連接5V電源，所述三極管Q1的發射極連接地，所述芯片SP3485E的第5引腳連接地，所述芯片SP3485E的第6引腳連接電阻R14的一端、電阻R15的一端、接地電容C18和接地穩壓管D3，所述芯片SP3485E的第7引腳分別連接接地電阻R13、電阻R15的另一端、接地電容C17和接地穩壓管D2。

4.根據權利要求1所述的運用超高壓正負復合脈沖電場的腫瘤消融設備，其特征在于，所述采樣電路包括放大器U1A、放大器U1B、電流互感器TA1；所述電流互感器TA1的第2引腳和第4引腳均接地，所述電流互感器TA1的第1引腳連接放大器U1A的第3引腳，所述芯片U1A的第2引腳連接芯片U1A的第1引腳和電阻R3的一端，所述電阻R3的另一端分別連接電阻R4的一端和放大器U1B的第5引腳，所述電阻R4的另一端連接滑動變阻器RV1，所述放大器U1B的第6引腳分別連接放大器U1B的第7引腳和電阻R5的一端，所述電阻R5的另一端連接芯片STM32F103VE的第26引腳。

5.采用權利要求4所述的運用超高壓正負復合脈沖電場的腫瘤消融設備，所述采樣電路的采樣方法包括以下步驟：

S1：開始捕捉116次芯片STM32F103VE的ADC，先按時間先后順序中間50組數據，進行冒泡排序，按從大到小排列；

S2：按大小排序中間的20個數據求平均值為電流脈沖取樣值；

S3：根據芯片STM32F103VE內的內ADC采樣值與實際電流比例計算校準后計算實際電流；

S4：芯片STM32F103VE內部的ADC采樣電壓是0-3.3V，沒有信號時電流為0時需要用RV1將PC1調整到1.65V；

S5：高頻脈沖電流互感器50A:100ma，理論采樣電阻為25.5歐，芯片STM32F103VE的PC3處的電壓＝(3.30V+取樣電壓)/2，最大取樣電壓3.3V，最大脈沖電流3300/51＝64.7A。

6.根據權利要求5所述的運用超高壓正負復合脈沖電場的腫瘤消融設備，所述采樣電路的采樣方法，其特征在于，所述步驟S2包括以下子步驟：

S21：建立模擬值限幅自適應的滑動窗口，所述窗口寬度為可觀察的采樣數據點數，設置為20，窗口高度±5％，窗口高度設置為誤差的百分數，可以自動調節在不同窗口區間剔除的模擬值不可信數據，達到自動調節模擬值窗口高度的目的；

步驟S22：窗口滑動。尋找可信的數據空間間，窗口采樣時間的變化而同步移動；

步驟S23：返回可信的平均值。

7.應用權利要求1設備的測量方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1：X軸上為放電正脈沖，X軸以下為放電負脈沖，一次放電是3正脈沖3負脈沖，6個脈沖為一組即每個脈沖間隔是11ms，正負脈沖27.5ms；

S2：在R波的作用時間上再提了10ms，R波是心臟的舒張狀態，P波是心臟的收縮狀態，得到輸出結果。