[發(fā)明專利]薄膜晶體管、陣列基板、顯示面板及顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110546950.4 | 申請日: | 2021-05-19 |
| 公開(公告)號: | CN113327989B | 公開(公告)日: | 2022-05-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李東華;魏曉麗 | 申請(專利權(quán))人: | 廈門天馬微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L29/786 | 分類號: | H01L29/786;H01L29/423;H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京東方億思知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11258 | 代理人: | 娜拉 |
| 地址: | 361101 福建*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 薄膜晶體管 陣列 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種薄膜晶體管,其特征在于,包括層疊且通過層間絕緣層絕緣設(shè)置的有源結(jié)構(gòu)和柵極,所述有源結(jié)構(gòu)包括源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū),所述源區(qū)和所述漏區(qū)位于所述溝道區(qū)的兩側(cè),所述柵極為包括開口的圖案結(jié)構(gòu)層,所述開口在所述層間絕緣層的正投影位于所述溝道區(qū)在所述層間絕緣層的正投影內(nèi),以通過增大所述薄膜晶體管的寬長比,提高所述薄膜晶體管的驅(qū)動能力;
其中,所述開口的第一邊的長度為1μm~2μm,第二邊的長度≥1μm,所述源區(qū)的正投影和所述漏區(qū)的正投影在第一方向上位于所述溝道區(qū)的正投影兩側(cè),所述第一邊平行于所述第一方向,所述第二邊垂直于所述第一方向。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管,其特征在于,還包括源極和漏極,所述層間絕緣層包括形成在所述層間絕緣層內(nèi)的過孔,所述過孔包括第一過孔和第二過孔,所述源極經(jīng)由第一過孔與所述源區(qū)電連接,所述漏極經(jīng)由第二過孔與所述漏區(qū)電連接,所述第二邊的長度不小于所述第一過孔或所述第二過孔沿平行于所述第二邊方向上的最大距離,其中第二方向與所述第二邊平行。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管,其特征在于,所述第一過孔和所述第二過孔設(shè)置有多個,多個所述第一過孔與多個所述第二過孔分別在所述第一方向上對應設(shè)置,多個所述第一過孔沿第二方向排布,在第二方向上,任意兩個所述第一過孔間或者任意兩個所述第二過孔間的距離不大于所述第二邊的長度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管,其特征在于,沿第一方向,所述開口在所述層間絕緣層上的正投影位于所述柵極在所述層間絕緣層的正投影中央,其中在所述層間絕緣層上,所述源區(qū)的正投影和所述漏區(qū)的正投影在所述第一方向上位于所述溝道區(qū)的正投影兩側(cè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管,其特征在于,所述開口至少為兩個,多個所述開口在所述層間絕緣層的正投影沿與第一方向垂直的方向上間隔設(shè)置,其中在所述層間絕緣層上,所述源區(qū)的正投影和所述漏區(qū)的正投影在所述第一方向上位于所述溝道區(qū)的正投影兩側(cè)。
6.一種陣列基板,其特征在于,具有第一區(qū)域和第二區(qū)域,所述第二區(qū)域在所述第一區(qū)域的周側(cè)分布,所述陣列基板包括設(shè)置在所述第二區(qū)域的多路分配器組件,所述多路分配器組件包括:
薄膜晶體管,為如權(quán)利要求1至5任一項所述的薄膜晶體管;
時鐘控制信號線,所述柵極與所述時鐘控制信號線電連接。
7.一種陣列基板,其特征在于,具有第一區(qū)域和第二區(qū)域,所述第二區(qū)域在所述第一區(qū)域的周側(cè)分布,所述陣列基板包括:
設(shè)置在所述第一區(qū)域的數(shù)據(jù)線、掃描線以及第一電極,以及
薄膜晶體管,為如權(quán)利要求1至5任一項所述的薄膜晶體管,所述薄膜晶體管的源極與所述數(shù)據(jù)線電連接,所述薄膜晶體管的漏極與所述第一電極電連接,所述柵極與所述掃描線電連接。
8.一種顯示面板,其特征在于,包括如權(quán)利要求6所述的陣列基板。
9.一種顯示面板,其特征在于,包括:
陣列基板,為如權(quán)利要求7所述的陣列基板;以及
驅(qū)動芯片,所述驅(qū)動芯片設(shè)置于所述第二區(qū)域,并位于所述第一區(qū)域一側(cè);
所述第一電極包括第一子電極和第二子電極,所述第一子電極位于所述第二子電極遠離所述驅(qū)動芯片一側(cè);
與所述第一子電極相連接的所述薄膜晶體管中的所述開口在所述層間絕緣層的正投影面積為S1,與所述第二子電極相連接的所述薄膜晶體管中的所述開口在所述層間絕緣層的正投影面積為S2,其中S1S2。
10.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權(quán)利要求8和/或9所述的顯示面板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘,例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器;半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的





