[發明專利]一種降低晶體生長爐裝配高度的組件及使用方法

在審

• 申請號: 202110546770.6
• 申請日: 2021-05-19
• 公開（公告）號: CN113337897A
• 公開（公告）日: 2021-09-03
• 發明（設計）人: 武紅磊;李文良;金雷;覃佐燕
• 申請（專利權）人: 深圳大學
• 主分類號: C30B35/00
• 分類號: C30B35/00
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250
• 代理人: 徐律

本發明涉及半導體晶體生長技術領域，公開了一種降低晶體生長爐裝配高度的組件及使用方法，其中組件包括承重板，其頂部適用于固定晶體生長爐；活動支撐組件安裝于承重板的底部，并可驅動承重板進行升降動作；一組固定支撐組件可在承重板和晶體生長爐到達設計高度時，固定支撐于承重板的底部且分設于活動支撐組件的兩側；活動支撐組件適于在晶體生長爐安裝到預設位置時，從承重板底部拆除。可以在較低位置先進行承重板與晶體生長爐的安裝固定，之后再利用活動支撐件將晶體生長爐和承重板提升到合適的高度，接著利用固定支撐組件進行支撐固定，安裝更加方便，提高了裝配效率，無需反復安裝，可以避免造成晶體生長爐損壞。

技術領域

本發明涉及半導體晶體生長技術領域，具體為一種降低晶體生長爐裝配高度的組件及使用方法。

背景技術

經過60多年的不斷發展，全球半導體材料的發展不斷取得突破，第三代半導體材料碳化硅(SiC)、氮化鋁(AlN)等正在快速的發展，因其具備著較寬的禁帶寬度、較高的擊穿場強以及較高的飽和電子漂移速率，第三代半導體材料主要是面向新一代的光電子設備，在新一代的通信設備、智能電網、新能源汽車、消費類電子設備等領域都有著非常廣泛的應用場景。SiC和AlN等生長裝置通常為比較沉重且占據空間較大的晶體生長爐。

實驗室室內的樓層高度大約在3-4米左右，而SiC和AlN等晶體生長爐的裝置設備高度大約在2.2-2.8米，隨著晶體尺寸的需求發展，晶體生長爐的尺寸也會變得更大。在通常實驗室的條件下會使得正常裝配比較困難，樓層的高度限制給晶體生長爐的裝配帶來了困難。目前，晶體生長爐的配備對小規模的科研單位是一個比較麻煩的問題。

目前在有限空間裝配晶體生長爐的方法主要是通過叉車與工作人員相互配合的方式來將晶體生長爐放置在實驗需求的位置。然而，這種方式存在以下缺點：

1.效率比較低下；

2.由于晶體生長爐比較沉重，當晶體生長爐放置在高處時與理想位置有所偏差的時候，通過人工的力量比較難以進行調整，調整較為麻煩；

3.若晶體生長爐放置在高處時與理想位置偏差較大的時候，需要重新進行裝配，容易導致晶體生長爐的爐體進行損傷。

發明內容

本發明所要解決的技術問題在于克服現有技術中的采用叉車與人工相配合的方式裝配晶體生長爐存在效率低下，調整較為麻煩且容易導致爐體損傷的技術問題，從而提供一種可適用于有限空間內的、可避免傳統方式產生安裝偏差的、可降低晶體生長爐裝配高度的組件及使用方法。

為此，本發明的其中一個目的在于提供一種降低晶體生長爐裝配高度的組件，包括：

承重板，其頂部設有固定安裝部且所述固定安裝部適用于固定晶體生長爐；

活動支撐組件，安裝于所述承重板的底部，并可驅動所述承重板進行升降動作；

一組固定支撐組件，可在所述承重板和晶體生長爐到達設計高度時，固定支撐于所述承重板的底部且分設于所述活動支撐組件的兩側；

所述活動支撐組件適于在所述晶體生長爐安裝到預設位置時，從所述承重板底部拆除。

可選的，所述的降低晶體生長爐裝配高度的組件，還包括；

調節組件，其可活動地安裝在所述固定支撐組件的底部，適于在所述晶體生長爐的裝配位置與預設位置發生較大偏差時、驅動所述固定支撐組件移動以帶動所述晶體生長爐移動至預設位置。

可選的，所述的降低晶體生長爐裝配高度的組件，所述調節組件包括：

滾輪，可滾動地安裝在所述固定支撐組件的底部；

伸縮支撐桿，通過調節轉換螺絲可伸縮地安裝在所述固定支撐組件的底部；