[發(fā)明專利]筆部件以及基板處理裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110546709.1
• 申請日: 2015-10-29
• 公開（公告）號: CN113276024B
• 公開（公告）日: 2023-08-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 石橋知淳
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社荏原制作所
• 主分類號: B24B53/017
• 分類號: B24B53/017;B24B37/10;B24B37/30;B24B55/06;B08B1/00;B08B3/04;H01L21/02
• 代理公司: 上海華誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31300
• 代理人: 張麗穎

本發(fā)明提供輥部件、筆部件以及基板處理裝置。在表面上形成有突塊的輥清洗部件中，提高各突塊的清洗力。用于擦洗基板S的被清洗面的輥清洗部件(50)在表面具有多個突塊(54)。各突塊(54)具有與輥清洗部件(50)的旋轉(zhuǎn)方向c不平行地延伸的縫(542)，由于該縫(542)而在輥清洗部件(50)的周向c上具有多個上游邊緣(541e1、541e2)，該上游邊緣(541e1、541e2)是在因輥清洗部件(50)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)而使突塊(54)的清洗面(541)與基板S的被清洗面接觸時最先與被清洗面接觸的邊緣。

本申請是下述專利申請的分案申請：

申請?zhí)枺?01510724374.2

申請日：2015年10月29日

發(fā)明名稱：輥部件、筆部件以及基板處理裝置

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一邊繞與半導(dǎo)體晶片等基板的表面平行的軸旋轉(zhuǎn)一邊通過擦拭基板的表面而處理基板的表面的輥部件(特別是在表面具有突塊的輥部件)、一邊與基板接觸一邊處理基板的表面的筆部件、以及使用它們中的至少任一方的基板處理裝置。

背景技術(shù)

近年來，伴隨著半導(dǎo)體設(shè)備的微細(xì)化而進(jìn)行具有微細(xì)構(gòu)造的基板(形成了物理性質(zhì)不同的各種材料膜的基板)的加工。例如，在利用金屬填充形成于基板的布線槽的鑲嵌布線形成工序中，在鑲嵌布線形成后通過基板研磨裝置(CMP裝置)將多余的金屬研磨去除，而在基板表面上形成物理性質(zhì)不同的各種材料膜(金屬膜、阻擋膜、絕緣膜等)。在這種基板表面上存在CMP研磨中所使用的漿料殘渣和金屬研磨屑(Cu研磨屑等)。因此，在基板表面復(fù)雜且清洗困難的情況等未充分進(jìn)行基板表面的清洗的情況下，因殘渣物等的影響而產(chǎn)生泄露或密合性不良，有可能成為可靠性降低的原因。因此，在進(jìn)行半導(dǎo)體基板的研磨的CMP裝置中在研磨后進(jìn)行清洗。

作為基板的清洗方法，公知有輥清洗(例如，參照專利文獻(xiàn)1)、筆清洗(例如，參照專利文獻(xiàn)2)，該輥清洗為，將圓筒形狀的海綿等部件(輥清洗部件)以使其中心軸與基板的表面平行的方式進(jìn)行保持，使其繞中心軸旋轉(zhuǎn)而利用其側(cè)面擦拭基板的表面從而擦洗基板的表面；該筆清洗為，將圓筒形狀的海綿等部件(筆清洗部件)以使其中心軸與基板的表面垂直的方式進(jìn)行保持，使其底面與基板的表面接觸，通過使基板旋轉(zhuǎn)而擦洗基板的表面。

在該輥清洗部件的表面上形成有多個小的圓柱形狀的突起(突塊)，通過使輥清洗部件繞與基板的表面平行的軸旋轉(zhuǎn)，而使突塊依次擦拭基板的表面從而清洗基板的表面。并且，在擦洗時在基板上供給清洗液，但在專利文獻(xiàn)2中，為了向清洗部一樣地供給該清洗液而在筆清洗部件的底面上形成有縫。

現(xiàn)有專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：國際公開第98/020987號

專利文獻(xiàn)2：日本特開平8-141521號公報

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的課題

圖23是表示輥清洗部件的突塊擦拭基板的表面的情形的圖。并且，圖24A是表示1個突塊的立體圖，圖24B是表示未與基板接觸的狀態(tài)下的突塊的清洗面(與基板接觸的面)的圖，圖24C是表示與基板接觸的狀態(tài)下的突塊的清洗面的圖。在圖24A～圖24C中，箭頭a表示輥清洗部件的長度方向(旋轉(zhuǎn)軸方向)，箭頭c表示輥清洗部件的表面的旋轉(zhuǎn)方向(周向)。

如圖24A和圖24B所示，1個突塊N具有圓柱形狀，其清洗面CF是圓形。然而，如圖23所示，該突塊N在因輥清洗部件R的旋轉(zhuǎn)而與基板S的表面(被清洗面)接觸時，被擠壓并且在基板S的表面上被拖動而發(fā)生變形，如圖24C所示，清洗面CF在旋轉(zhuǎn)方向上被擠壓。這樣的話，施加到突塊N的清洗面CF的壓力如圖24C所示集中在上游側(cè)的邊緣附近(圖24C陰影部分)，其他部分對清洗的貢獻(xiàn)度變低。