[發明專利]具有低刷新率顯示器像素的電子設備

在審

• 申請號: 202110543276.4
• 申請日: 2018-08-17
• 公開（公告）號: CN113205777A
• 公開（公告）日: 2021-08-03
• 發明（設計）人: 林敬偉;楊玄;錢闖;A·嘉姆史迪羅德巴里;常鼎國
• 申請（專利權）人: 蘋果公司
• 主分類號: G09G3/3233
• 分類號: G09G3/3233;G09G3/3208;G09G3/3225
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 邊海梅

1.一種顯示像素，包括：

第一電源線；

第二電源線；

發光二極管，所述發光二極管具有耦接至所述第二電源線的陰極并且具有陽極；

硅驅動晶體管，所述硅驅動晶體管具有柵極端子、耦接至所述第一電源線的第一源極-漏極端子以及耦接至所述陽極的第二源極-漏極端子；

初始化線路；和

半導體氧化物晶體管，所述半導體氧化物晶體管具有柵極端子、耦接至所述初始化線路的第一源極-漏極端子以及耦接至所述硅驅動晶體管的柵極端子的第二源極-漏極端子。

2.根據權利要求1所述的顯示像素，其中所述半導體氧化物晶體管包括半導體氧化物。

3.根據權利要求2所述的顯示像素，還包括：

額外的半導體氧化物晶體管，所述額外的半導體氧化物晶體管具有柵極端子、耦接至所述硅驅動晶體管的柵極端子的第一源極-漏極端子以及耦接至所述硅驅動晶體的第一源極-漏極端子或所述硅驅動晶體管的第二源極-漏極端子中的至少一個的第二源極-漏極端子。

4.根據權利要求3所述的顯示像素，還包括：

電容器，所述電容器耦接至所述半導體氧化物晶體管和所述額外的半導體氧化物晶體管。

5.根據權利要求1所述的顯示像素，還包括：

硅陽極復位晶體管，所述硅陽極復位晶體管具有柵極端子、被配置為接收復位電壓的第一源極-漏極端子以及耦接至所述陽極的第二源極-漏極端子。

6.根據權利要求1所述的顯示像素，還包括：

陽極復位晶體管，所述陽極復位晶體管具有柵極端子、被配置為接收復位電壓的第一源極-漏極端子以及耦接至所述陽極的第二源極-漏極端子。

7.根據權利要求1所述的顯示像素，還包括：

發射晶體管，所述發射晶體管具有被配置為接收發射控制信號的柵極端子、耦接至所述硅驅動晶體管的第二源極-漏極端子的第一源極-漏極端子以及耦接至所述陽極的第二源極-漏極端子。

8.根據權利要求7所述的顯示像素，其中所述發射晶體管包括硅溝道材料。

9.根據權利要求1所述的顯示像素，其中所述硅驅動晶體管包括p型硅晶體管。

10.一種顯示像素，包括：

發光二極管，所述發光二極管具有陰極和陽極；

硅驅動晶體管，所述硅驅動晶體管具有柵極端子和源極-漏極端子，其中所述硅驅動晶體管被配置為在發光期間驅動電流通過所述發光二極管；

存儲電容器，所述存儲電容器耦接至所述硅驅動晶體管的柵極端子；

第一半導體氧化物晶體管，所述第一半導體氧化物晶體管直接耦接至所述存儲電容器；和

第二半導體氧化物晶體管，所述第二半導體氧化物晶體管直接耦接至所述存儲電容器。

11.根據權利要求10所述的顯示像素，其中所述第一半導體氧化物晶體管和所述第二半導體氧化物晶體管包括半導體氧化物。

12.根據權利要求11所述的顯示像素，其中所述硅驅動晶體管包括p型硅晶體管。

13.根據權利要求11所述的顯示像素，其中所述第一半導體氧化物晶體管包括：

柵極端子；

第一源極-漏極端子，所述第一源極-漏極端子耦接至所述硅驅動晶體管的柵極端子；和

第二源極-漏極端子，所述第二源極-漏極端子耦接至所述硅驅動晶體管的源極-漏極端子之一。

14.根據權利要求13所述的顯示像素，其中所述第二半導體氧化物晶體管包括：

柵極端子；

第一源極-漏極端子，所述第一源極-漏極端子耦接至所述硅驅動晶體管的柵極端子；和

第二源極-漏極端子，所述第二源極-漏極端子被配置為接收初始化電壓。