[發明專利]一種氰基修飾的Pt基超細納米線的制備方法及其所得材料和應用有效
| 申請號： | 202110542890.9 | 申請日： | 2021-05-18 |
| 公開（公告）號： | CN113385685B | 公開（公告）日： | 2023-01-31 |
| 發明（設計）人： | 唐亞文;劉啟成;王軒;劉嘉琪;孟慶偉;付更濤 | 申請（專利權）人： | 南京師范大學 |
| 主分類號： | B22F9/24 | 分類號： | B22F9/24;B22F1/054;B82Y30/00;B82Y40/00;C25B1/04;C25B11/081;H01M4/92 |
| 代理公司： | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 蘇虹 |
| 地址： | 210024 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 修飾 pt 基超細 納米 制備 方法 及其 所得 材料 應用 | ||
【權利要求書】：
1.一種氰基修飾的Pt基超細納米線的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：
1) 配置氰乙酸水溶液，將氰乙酸水溶液加入乙二醇溶液中，混合均勻并分散，得到氰乙酸乙二醇混合溶液；所述氰乙酸水溶液的濃度為0.03 ~ 0.10 mol L-1；
2)將鉑鹽前驅體溶液加入上述氰乙酸乙二醇混合溶液中混合均勻并分散，再加入氰基硼氫化鈉溶液，混合均勻并分散后，油浴加熱處理，水洗數次即可得到最終產物；所述鉑鹽前驅體溶液的濃度為0.03 ~ 0.10 mol L-1，氰基硼氫化鈉溶液的濃度為0.03 ~ 0.10 molL-1；
所述納米線的寬度為1.8~2.2 nm。
2.根據權利要求1所述的氰基修飾的Pt基超細納米線的制備方法，其特征在于：步驟2）中，所用的鉑鹽是氯亞鉑酸鉀。
3.根據權利要求1所述的氰基修飾的Pt基超細納米線的制備方法，其特征在于：步驟2）中，升溫速率為2 ~ 5 ℃·min-1。
4.根據權利要求1所述的氰基修飾的Pt基超細納米線的制備方法，其特征在于：步驟2）中，油浴預熱至100 ~ 140 ℃，并在該溫度下保持30 ~ 70 min。
5.權利要求1-4任一項所述制備方法所制得的氰基修飾的Pt基超細納米線材料。
6.權利要求5所述的氰基修飾的Pt基超細納米線材料作為析氫催化劑的應用。
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