[發(fā)明專利]具有濾波特性的平面集成毫米波串饋喇叭陣列有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110541596.6 | 申請(qǐng)日: | 2021-05-18 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113363696B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-07-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金華燕;周樂(lè)凱;羅國(guó)清;范奎奎;代喜望 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 杭州電子科技大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01Q1/00 | 分類號(hào): | H01Q1/00;H01Q21/06;H01Q21/00;H01Q25/04;H01Q9/04;H01Q13/02 |
| 代理公司: | 杭州君度專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人: | 朱亞冠 |
| 地址: | 310018 浙*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 濾波 特性 平面 集成 毫米波 喇叭 陣列 | ||
1.帶有濾波特性的串饋平面集成毫米波喇叭陣列,包括若干周期性分布的單元,其特征在于每個(gè)單元包括:
階梯波導(dǎo)喇叭A,為在金屬塊內(nèi)挖出階梯型喇叭狀通孔;階梯波導(dǎo)喇叭A較小開(kāi)口位于下端;
背腔矩形貼片天線B,位于階梯波導(dǎo)喇叭A的下方,包括介質(zhì)板S、矩形貼片P、方形槽V1、一個(gè)基片集成波導(dǎo)W以及一個(gè)與基片集成波導(dǎo)連通的基片集成波導(dǎo)腔V2;介質(zhì)板S的上表面開(kāi)有位于階梯波導(dǎo)喇叭A正下方的方形槽V1,且該方形槽V1位于基片集成波導(dǎo)腔V2內(nèi);方形槽V1內(nèi)鋪設(shè)矩形貼片P,且矩形貼片P與方形槽V1留有一定距離;
所述基片集成波導(dǎo)腔V2與基片集成波導(dǎo)W連接處設(shè)有兩個(gè)貫穿介質(zhì)板S的金屬化通孔M1,用于調(diào)節(jié)阻抗匹配;
所述矩形貼片P的中心設(shè)有一個(gè)用于抑制腔內(nèi)TE110模的貫穿介質(zhì)板S的金屬化通孔M2;
相鄰單元的階梯波導(dǎo)喇叭A間金屬塊內(nèi)挖有抑制表面波結(jié)構(gòu)槽V4;
每個(gè)單元的基片集成波導(dǎo)腔與相鄰單元的基片集成波導(dǎo)串饋連通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有濾波特性的串饋平面集成毫米波喇叭陣列,其特征在于所述基片集成波導(dǎo)W以及基片集成波導(dǎo)腔V2均由金屬化通孔周期性排布構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有濾波特性的串饋平面集成毫米波喇叭陣列,其特征在于相鄰單元的階梯波導(dǎo)喇叭A間金屬塊內(nèi)挖有抑制表面波結(jié)構(gòu)槽V4深度滿足1/4λ0,λ0為中心頻率所對(duì)應(yīng)的空氣波長(zhǎng),且抑制表面波結(jié)構(gòu)槽V4作為次級(jí)輻射源。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有濾波特性的串饋平面集成毫米波喇叭陣列,其特征在于金屬塊采用鋁塊。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有濾波特性的串饋平面集成毫米波喇叭陣列,其特征在于方形槽V1的中心與基片集成波導(dǎo)腔V2的中心重合。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有濾波特性的串饋平面集成毫米波喇叭陣列,其特征在于基片集成波導(dǎo)腔V2的長(zhǎng)寬尺寸滿足TE210模式激勵(lì)條件。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有濾波特性的串饋平面集成毫米波喇叭陣列,其特征在于階梯波導(dǎo)喇叭A的較小開(kāi)口R2口徑比方形槽V1大。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有濾波特性的串饋平面集成毫米波喇叭陣列,其特征在于矩形貼片P的寬度影響天線的工作頻率,矩形貼片P的中心與階梯波導(dǎo)喇叭A的較小開(kāi)口中心重合。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有濾波特性的串饋平面集成毫米波喇叭陣列,其特征在于階梯波導(dǎo)喇叭A的截面為階梯狀。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有濾波特性的串饋平面集成毫米波喇叭陣列,其特征在于階梯波導(dǎo)喇叭的階梯層數(shù)為兩層或兩層以上,其層數(shù)以及每層的高度影響天線的阻抗匹配以及輻射增益。
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