[發(fā)明專利]一種顯示面板的制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110537599.2 | 申請(qǐng)日: | 2021-05-18 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113327891A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-08-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳皓 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | TCL華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/77 | 分類號(hào): | H01L21/77;H01L27/12;H01L27/15;G09F9/30;G09F9/33 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 唐秀萍 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 顯示 面板 制備 方法 | ||
本發(fā)明提供一種顯示面板的制備方法,先在第一金屬接線層上形成第一遮蓋膜,再形成連接第一金屬接線層和第二金屬接線層的導(dǎo)電層,該導(dǎo)電層包括與基板側(cè)面接觸的垂直部分,與第一金屬接線層和第一遮蓋膜接觸的第一橫向部分,以及與第二金屬接線層接觸的第二橫向部分。其中,第一金屬接線層具有第一接線邊緣,第一遮蓋膜具有第一遮蓋膜邊緣,且第一遮蓋膜邊緣比第一接線邊緣更遠(yuǎn)離基板側(cè)面,而使第一接線邊緣外露于第一遮蓋膜邊緣。由于第一遮蓋膜邊緣都是均勻平整的,所以形成的導(dǎo)電層在第一遮蓋膜邊緣也是均勻且平整的,從而導(dǎo)電層與第一接線邊緣搭接的地方平整度也會(huì)提高,進(jìn)而改善了導(dǎo)電層的擴(kuò)散均勻性,導(dǎo)通效果更好。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種顯示面板的制備方法。
背景技術(shù)
在顯示領(lǐng)域中,無(wú)邊框或者窄邊框顯示器逐漸成為主流。對(duì)于顯示器,例如液晶顯示器(Liquid Crystals Display,LCD)、有機(jī)電致發(fā)光顯示器(Organic Light-EmittingDisplay,OLED)、發(fā)光二極管(light emitting diode,LED)顯示器而言,屏幕尺寸越大,制造難度以及單位面積的制造成本越高。因此,大型顯示器通常采用多塊中小型顯示器拼接而成。
目前面板呈現(xiàn)多元化,其中Mini LED的解析度和色彩度接近OLED,優(yōu)于LCD;且功耗較低,更輕薄。Mini/Micro LED無(wú)縫拼接最理想的方式是采用Back Bonding方式。BackBonding是將TFT及LED芯片放在正面,而驅(qū)動(dòng)芯片置于玻璃背面,通過(guò)在玻璃側(cè)面和拐角轉(zhuǎn)印導(dǎo)電材料,使玻璃正反兩面Pad形成導(dǎo)通,再進(jìn)行模組制程。
但是在轉(zhuǎn)印導(dǎo)電材料時(shí),由于玻璃正面的Pad是由一條條金屬線排列而成,即Pad邊緣不是平整的,而且導(dǎo)電材料的流平性較差,會(huì)導(dǎo)致轉(zhuǎn)印的導(dǎo)電材料與Pad的交界處呈鋸齒狀,即導(dǎo)電層的擴(kuò)散不均勻,從而容易導(dǎo)致導(dǎo)通不良。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種顯示面板的制備方法,旨在改善導(dǎo)電層的擴(kuò)散均勻性,提高導(dǎo)通效果。
本發(fā)明提供一種顯示面板的制備方法,包括:
提供基板,所述基板包括正面、背面和位于所述正面與所述背面之間的側(cè)面,所述基板包括位于所述正面的顯示區(qū)和靠近所述側(cè)面的非顯示區(qū);
在基板正面的非顯示區(qū)形成第一金屬接線層,并在基板背面形成第二金屬接線層,且所述第一金屬接線層具有靠近且沿所述側(cè)面延伸的第一接線邊緣;
在所述第一金屬接線層上形成第一遮蓋膜,所述第一遮蓋膜具有沿所述第一接線邊緣延伸的第一遮蓋膜邊緣,且所述第一遮蓋膜邊緣比所述第一接線邊緣遠(yuǎn)離所述側(cè)面,而使所述第一接線邊緣外露于所述第一遮蓋膜邊緣;
形成連接所述第一金屬接線層和第二金屬接線層的導(dǎo)電層,所述導(dǎo)電層包括與所述側(cè)面接觸的垂直部分,與所述第一金屬接線層和所述第一遮蓋膜接觸的第一橫向部分,以及與所述第二金屬接線層接觸的第二橫向部分。
進(jìn)一步優(yōu)選的,所述制備方法還包括:在所述第二金屬接線層的下方形成第二遮蓋膜,所述第二金屬接線層具有靠近且沿所述側(cè)面延伸的第二接線邊緣,且所述第二遮蓋膜具有沿所述第二接線邊緣延伸的第二遮蓋膜邊緣,所述第二遮蓋膜邊緣比所述第二接線邊緣遠(yuǎn)離所述側(cè)面。
進(jìn)一步優(yōu)選的,形成所述第一遮蓋膜的步驟,包括:
在所述第一金屬接線層的上方貼附一層遮蓋膜,所述遮蓋膜遮擋所述第一金屬接線層;
采用激光切除所述遮蓋膜靠近所述側(cè)面的部分,以形成所述第一遮蓋膜,并使所述第一金屬接線露出部分上表面。
進(jìn)一步優(yōu)選的,所述制備方法還包括:
對(duì)所述導(dǎo)電層進(jìn)行預(yù)固化;
將所述第一遮蓋膜撕除;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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