[發(fā)明專利]一種雙層光波導(dǎo)的多芯光纖起偏分束器及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110536670.5
• 申請日: 2021-05-17
• 公開（公告）號: CN113189703A
• 公開（公告）日: 2021-07-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 華平壤;沈靜
• 申請（專利權(quán)）人: 派尼爾科技（天津）有限公司
• 主分類號: G02B6/10
• 分類號: G02B6/10;G02B6/126
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種雙層光波導(dǎo)的多芯光纖起偏分束器，其特征在于：該起偏分束器包括：

波導(dǎo)芯片，波導(dǎo)芯片內(nèi)集成有至少兩層波導(dǎo)結(jié)構(gòu)；以及

光纖，包括分別設(shè)置于波導(dǎo)芯片兩端的多芯光纖和單芯光纖；

多芯光纖的纖芯分別與波導(dǎo)芯片輸入端的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)耦合，單芯光纖分別與波導(dǎo)芯片輸出端的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)耦合。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙層光波導(dǎo)的多芯光纖起偏分束器，其特征在于：波導(dǎo)芯片輸入端的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的排列與多芯光纖的纖芯的排列相同，且波導(dǎo)的中心間距與多芯光纖的纖芯的中心間距一致；波導(dǎo)為曲線，經(jīng)過一段距離的擴(kuò)展，在輸出端波導(dǎo)中心間距大于單芯光纖的包層直徑。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙層光波導(dǎo)的多芯光纖起偏分束器，其特征在于：波導(dǎo)芯片包括上層波導(dǎo)芯片以及下層波導(dǎo)芯片，上層波導(dǎo)芯片以及下層波導(dǎo)芯片上均集成有光波導(dǎo)，且波導(dǎo)面相對設(shè)置，上層波導(dǎo)芯片以及下層波導(dǎo)芯片之間通過隔離層聚合。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙層光波導(dǎo)的多芯光纖起偏分束器，其特征在于：波導(dǎo)芯片為鈮酸鋰波導(dǎo)芯片，鈮酸鋰波導(dǎo)芯片經(jīng)過質(zhì)子交換處理。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙層光波導(dǎo)的多芯光纖起偏分束器，其特征在于：隔離層厚度與多芯光纖各層纖芯之間的中心間距一致。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙層光波導(dǎo)的多芯光纖起偏分束器，其特征在于：波導(dǎo)芯片的兩端分別設(shè)置有輸入端V型槽和輸出端V型槽。

7.一種雙層光波導(dǎo)的多芯光纖起偏分束器的制備方法，其特征在于：該制備方法包括：

S1：制備雙層波導(dǎo)芯片；

S2：將輸入端多芯光纖與輸出端的單芯光纖分別與雙層波導(dǎo)芯片輸入端以及輸出端耦合。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的雙層光波導(dǎo)的多芯光纖起偏分束器的制備方法，其特征在于：制備雙層波導(dǎo)芯片過程包括：

S11：制備單層的上層波導(dǎo)芯片以及下層波導(dǎo)芯片；

S12：聚合上層波導(dǎo)芯片以及下層波導(dǎo)芯片。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的雙層光波導(dǎo)的多芯光纖起偏分束器的制備方法，其特征在于：聚合上層波導(dǎo)芯片以及下層波導(dǎo)芯片的過程包括：

S121：將一層波導(dǎo)芯片的波導(dǎo)面表面涂覆一層隔離層，并進(jìn)行固化；

S122：將隔離層刻蝕至目標(biāo)厚度；

S123：將另一層波導(dǎo)芯片與第一層波導(dǎo)芯片對準(zhǔn)并在真空下進(jìn)行壓合。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的雙層光波導(dǎo)的多芯光纖起偏分束器的制備方法，其特征在于：步驟S2包括：

S21：制備V型槽；

S22：將光纖固定于V型槽上，并將V型槽與波導(dǎo)芯片對接。