[發明專利]一種雙層光波導的多芯光纖起偏分束器及其制備方法

在審

• 申請號: 202110536670.5
• 申請日: 2021-05-17
• 公開（公告）號: CN113189703A
• 公開（公告）日: 2021-07-30
• 發明（設計）人: 華平壤;沈靜
• 申請（專利權）人: 派尼爾科技（天津）有限公司
• 主分類號: G02B6/10
• 分類號: G02B6/10;G02B6/126
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種雙層光波導的多芯光纖起偏分束器，其特征在于：該起偏分束器包括：

波導芯片，波導芯片內集成有至少兩層波導結構；以及

光纖，包括分別設置于波導芯片兩端的多芯光纖和單芯光纖；

多芯光纖的纖芯分別與波導芯片輸入端的波導結構耦合，單芯光纖分別與波導芯片輸出端的波導結構耦合。

2.根據權利要求1所述的雙層光波導的多芯光纖起偏分束器，其特征在于：波導芯片輸入端的波導結構的排列與多芯光纖的纖芯的排列相同，且波導的中心間距與多芯光纖的纖芯的中心間距一致；波導為曲線，經過一段距離的擴展，在輸出端波導中心間距大于單芯光纖的包層直徑。

3.根據權利要求1所述的雙層光波導的多芯光纖起偏分束器，其特征在于：波導芯片包括上層波導芯片以及下層波導芯片，上層波導芯片以及下層波導芯片上均集成有光波導，且波導面相對設置，上層波導芯片以及下層波導芯片之間通過隔離層聚合。

4.根據權利要求1所述的雙層光波導的多芯光纖起偏分束器，其特征在于：波導芯片為鈮酸鋰波導芯片，鈮酸鋰波導芯片經過質子交換處理。

5.根據權利要求1所述的雙層光波導的多芯光纖起偏分束器，其特征在于：隔離層厚度與多芯光纖各層纖芯之間的中心間距一致。

6.根據權利要求1所述的雙層光波導的多芯光纖起偏分束器，其特征在于：波導芯片的兩端分別設置有輸入端V型槽和輸出端V型槽。

7.一種雙層光波導的多芯光纖起偏分束器的制備方法，其特征在于：該制備方法包括：

S1：制備雙層波導芯片；

S2：將輸入端多芯光纖與輸出端的單芯光纖分別與雙層波導芯片輸入端以及輸出端耦合。

8.根據權利要求7所述的雙層光波導的多芯光纖起偏分束器的制備方法，其特征在于：制備雙層波導芯片過程包括：

S11：制備單層的上層波導芯片以及下層波導芯片；

S12：聚合上層波導芯片以及下層波導芯片。

9.根據權利要求8所述的雙層光波導的多芯光纖起偏分束器的制備方法，其特征在于：聚合上層波導芯片以及下層波導芯片的過程包括：

S121：將一層波導芯片的波導面表面涂覆一層隔離層，并進行固化；

S122：將隔離層刻蝕至目標厚度；

S123：將另一層波導芯片與第一層波導芯片對準并在真空下進行壓合。

10.根據權利要求6所述的雙層光波導的多芯光纖起偏分束器的制備方法，其特征在于：步驟S2包括：

S21：制備V型槽；

S22：將光纖固定于V型槽上，并將V型槽與波導芯片對接。