[發(fā)明專利]一種大深度晶界擴(kuò)散的釹鐵硼磁體的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110533903.6
• 申請日: 2021-05-17
• 公開（公告）號: CN113394015B
• 公開（公告）日: 2022-11-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳夫剛
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇科技大學(xué)
• 主分類號: H01F41/02
• 分類號: H01F41/02;H01F1/057
• 代理公司: 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 32200
• 代理人: 徐澍

1.一種大深度晶界擴(kuò)散的釹鐵硼磁體的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

步驟一，將釹鐵硼磁體按照尺寸要求切割成塊體，用砂紙打磨掉表面的氧化皮，在丙酮溶液中將打磨后的磁體用超聲清洗干凈；

步驟二，將釹鐵硼磁體塊體浸入-196℃的液氮中進(jìn)行深度冷卻處理，深冷處理時間為(2～4)×d分鐘，其中d為磁體的厚度，單位為：毫米；

步驟三，將步驟一深冷處理的磁體從液氮中取出讓磁體溫度升高到室溫；

步驟四，重復(fù)步驟二和步驟三3～5次；

步驟五，利用富含重稀土元素的擴(kuò)散源對經(jīng)過深冷處理后的磁體在溫度為800～950℃，時間為1～10h，真空度設(shè)定值為1×10^-3～1×10^-2Pa進(jìn)行晶界擴(kuò)散處理；

步驟六，將步驟五擴(kuò)散處理后的磁體再在溫度為450～550℃，時間為1～10h，真空度設(shè)定值為1×10^-3～1×10^-2Pa進(jìn)行低溫退火處理，制得大深度晶界擴(kuò)散的釹鐵硼磁體。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大深度晶界擴(kuò)散的釹鐵硼磁體的制備方法，其特征在于：步驟五中，所述富含重稀土元素的擴(kuò)散源為富含鏑(Dy)或鋱(Tb)的低熔點(diǎn)合金或化合物粉末。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種大深度晶界擴(kuò)散的釹鐵硼磁體的制備方法，其特征在于：所述擴(kuò)散源為Dy₇₀Cu₃₀、Tb₇₀Cu₃₀、DyF₃、DyH₂中的任一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大深度晶界擴(kuò)散的釹鐵硼磁體的制備方法，其特征在于：步驟一中，所述塊體的厚度為5～15mm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大深度晶界擴(kuò)散的釹鐵硼磁體的制備方法，其特征在于：步驟一中，所述釹鐵硼磁體為燒結(jié)釹鐵硼磁體，平均晶粒尺寸為1～10μm。