[發(fā)明專利]一種用于多晶硅生產(chǎn)的還原爐硅芯結(jié)構(gòu)及其搭接方法

在審

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• 申請日: 2021-05-17
• 公開（公告）號: CN113104853A
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發(fā)明（設計）人: 李濤
• 申請（專利權(quán)）人: 新疆大全新能源股份有限公司
• 主分類號: C01B33/035
• 分類號: C01B33/035
• 代理公司: 北京鼎佳達知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 11348
• 代理人: 孟阿妮;張小勇

1.一種用于多晶硅生產(chǎn)的還原爐硅芯結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括:第一硅芯、第二硅芯和橫梁；

所述第一硅芯上設置有第一插接部；

所述第二硅芯上設置有第二插接部；

所述橫梁的一端插接在所述第一插接部上；所述橫梁的另一端插接在所述第二插接部上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于多晶硅生產(chǎn)的還原爐硅芯結(jié)構(gòu)，其特征在于，

所述第一插接部為一個或多個；多個所述第一插接部沿所述第一硅芯的長度方向間隔設置；

所述第二插接部為一個或多個；多個所述第二插接部與多個所述第一插接部一一對應設置；

所述橫梁對應地插接在所述第一插接部和所述第二插接部上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于多晶硅生產(chǎn)的還原爐硅芯結(jié)構(gòu)，其特征在于，

所述第一插接部為孔結(jié)構(gòu)或凹槽結(jié)構(gòu)；

所述第二插接部為孔結(jié)構(gòu)或凹槽結(jié)構(gòu)；

所述橫梁的一端為第一插接端；所述橫梁的另一端為第二插接端；

所述第一插接端與所述第一插接部相比匹配，能夠插接在所述第一插接部上；

所述第二插接端與所述第二插接部相比匹配，能夠插接在所述第二插接部上。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于多晶硅生產(chǎn)的還原爐硅芯結(jié)構(gòu)，其特征在于，

所述第一插接端的截面為圓形；

所述第二插接端的截面為圓形；

所述第一插接部的截面為圓形；

所述第二插接部的截面為圓形。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于多晶硅生產(chǎn)的還原爐硅芯結(jié)構(gòu)，其特征在于，

所述第一插接端的截面為多邊形；

所述第二插接端的截面為多邊形；

所述第一插接部的截面為多邊形；

所述第二插接部的截面為多邊形。

6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的用于多晶硅生產(chǎn)的還原爐硅芯結(jié)構(gòu)，其特征在于，

所述第一插接端為錐臺結(jié)構(gòu)；

所述第二插接端為錐臺結(jié)構(gòu)；

所述第一插接部為錐臺孔；

所述第二插接部為錐臺孔。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于多晶硅生產(chǎn)的還原爐硅芯結(jié)構(gòu)，其特征在于，

所述橫梁包括：第一主體、第二主體和連接體；

所述第一主體拼接在所述連接體的一端；

所述第二主體拼接在所述連接體的另一端；

所述第一主體、所述連接體和所述第二主體依次設置，被構(gòu)造成一棒體。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于多晶硅生產(chǎn)的還原爐硅芯結(jié)構(gòu)，其特征在于，

所述第一主體的一端具有連接部一；所述連接部一上設置有外螺紋；

所述第二主體的一端具有連接部二；所述連接部二上設置有外螺紋；

所述連接體上設置有螺紋孔；

所述連接部一和所述連接部二分別設置在所述螺紋孔的兩端。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于多晶硅生產(chǎn)的還原爐硅芯結(jié)構(gòu)，其特征在于，

所述連接部一和所述連接部二的端部能夠相互接觸；

所述連接部一的端部具有凹穴；所述連接部二的端部具有凸起；所述凸起能夠頂設在所述凹穴內(nèi)。

10.一種用于多晶硅生產(chǎn)的還原爐硅芯的搭接方法，其特征在于，包括以下步驟：

將第一硅芯和第二硅芯的下部豎直插入還原爐電極上的石墨卡瓣中，調(diào)整方向，保持第一硅芯和第二硅芯平行，保持第一插接部和第二插接部的朝向在同一直線上，不鎖緊；

將橫梁插入第一插接部和第二插接部；

旋轉(zhuǎn)石墨內(nèi)螺紋錐套鎖緊石墨卡瓣，即可完成搭接。