[發明專利]一種對于粉末壓結類靶材焊接面的鍍鎳方法

有效

• 申請號: 202110530277.5
• 申請日: 2021-05-14
• 公開（公告）號: CN113278914B
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發明（設計）人: 姚力軍;邊逸軍;潘杰;王學澤;滕俊
• 申請（專利權）人: 寧波江豐電子材料股份有限公司
• 主分類號: C23C14/02
• 分類號: C23C14/02;C23C14/16;C23C14/35
• 代理公司: 北京遠智匯知識產權代理有限公司 11659
• 代理人: 王巖

1.一種對于粉末壓結類靶材焊接面的鍍鎳方法，其特征在于，所述鍍鎳方法包括：

將表面處理后的粉末壓結類靶材放入物理氣相沉積爐內，采用鈦靶對粉末壓結類靶材焊接面依次進行PVD轟擊處理、PVD鍍鈦膜處理，采用鎳靶對鈦膜的表面進行PVD鍍鎳膜處理，得到帶有鎳膜與鈦膜的粉末壓結類靶材；所述鈦膜作為隔絕層，防止透過鎳膜的銦焊料進一步滲透至粉末壓結類靶材的濺射區域；

其中，控制所述PVD轟擊處理的溫度為100～140℃，時間為120～180s，真空度為1.5×10^-1～2.5×10^-1Pa，功率為8000～12000kW·h；

控制所述PVD鍍鈦膜處理的溫度為60～120℃，真空度為3×10^-1～4×10^-1Pa，功率為2400～3600kW·h，時間為3～5h，中間氣體為氬氣；

控制所述PVD鍍膜處理的溫度為100～120℃，真空度為3×10^-1～4×10^-1Pa，功率為2400～3600kW·h，時間為3～5h，中間氣體為氬氣。

2.根據權利要求1所述的鍍鎳方法，其特征在于，所述表面處理包括采用刮刀去除氧化層以及采用凈化布擦拭。

3.根據權利要求1所述的鍍鎳方法，其特征在于，在所述表面處理之后，在將所述粉末壓結類靶材放入物理氣相沉積爐之前，對所述粉末壓結類靶材依次進行包裹處理、減震處理。

4.根據權利要求3所述的鍍鎳方法，其特征在于，所述包裹處理包括采用石墨紙對粉末壓結類靶材的非焊接面進行包裹。

5.根據權利要求3所述的鍍鎳方法，其特征在于，所述減震處理包括在所述粉末壓結類靶材的濺射面上設置硅膠墊。

6.根據權利要求1所述的鍍鎳方法，其特征在于，在將所述粉末壓結類靶材放入物理氣相沉積爐之后，在所述轟擊處理之前，進行抽真空與預熱。

7.根據權利要求6所述的鍍鎳方法，其特征在于，所述抽真空的目標真空度為3×10^-1～4×10^-1Pa。

8.根據權利要求6所述的鍍鎳方法，其特征在于，所述預熱采用25～35min升溫至100～150℃；所述預熱的保溫時間為1～1.5h。

9.根據權利要求1所述的鍍鎳方法，其特征在于，在所述PVD鍍鎳膜處理之后，關閉所述物理氣相沉積爐，待1～3h后取出所述帶有鎳膜與鈦膜的粉末壓結類靶材，通過空冷降至室溫。

10.根據權利要求1所述的鍍鎳方法，其特征在于，所述鈦膜的厚度為6～10μm；所述鎳膜的厚度為4～8μm。

11.根據權利要求1所述的鍍鎳方法，其特征在于，所述鍍鎳方法包括如下步驟：

(1)對粉末壓結類靶材采用刮刀去除氧化層以及采用凈化布擦拭以完成表面處理，隨后對所述粉末壓結類靶材依次進行包裹處理、減震處理，所述包裹處理包括采用石墨紙對粉末壓結類靶材的非焊接面進行包裹，所述減震處理包括在所述粉末壓結類靶材的濺射面上設置硅膠墊；

(2)將步驟(1)處理后的粉末壓結類靶材放入物理氣相沉積爐內進行抽真空與預熱，所述抽真空的目標真空度為3×10^-1～4×10^-1Pa，所述預熱采用25～35min升溫至100～150℃，所述預熱的保溫時間為1～1.5h；

(3)采用鈦靶對粉末壓結類靶材焊接面依次進行PVD轟擊處理、PVD鍍鈦膜處理；控制所述PVD轟擊處理的溫度為100～140℃，時間為120～180s，真空度為1.5×10^-1～2.5×10^-1Pa，功率為8000～12000kW·h；控制所述PVD鍍鈦膜處理的溫度為60～120℃，真空度為3×10^-1～4×10^-1Pa，功率為2400～3600kW·h，時間為3～5h，中間氣體為氬氣；

(4)采用鎳靶對步驟(3)得到的鈦膜的表面進行PVD鍍鎳膜處理，控制所述PVD鍍膜處理的溫度為100～120℃，真空度為3×10^-1～4×10^-1Pa，功率為2400～3600kW·h，時間為3～5h，中間氣體為氬氣；

(5)在步驟(4)所述PVD鍍鎳膜處理之后，關閉所述物理氣相沉積爐，待1～3h后取出所述帶有鎳膜與鈦膜的粉末壓結類靶材，通過空冷降至室溫，得到帶有厚度為4～8μm鎳膜與厚度為6～10μm鈦膜的粉末壓結類靶材。