[發明專利]一種對于粉末壓結類靶材焊接面的鍍鎳方法

在審

• 申請號: 202110530266.7
• 申請日: 2021-05-14
• 公開（公告）號: CN113278913A
• 公開（公告）日: 2021-08-20
• 發明（設計）人: 姚力軍;邊逸軍;潘杰;王學澤;滕俊
• 申請（專利權）人: 寧波江豐電子材料股份有限公司
• 主分類號: C23C14/02
• 分類號: C23C14/02;C23C14/16;C23C14/34
• 代理公司: 北京遠智匯知識產權代理有限公司 11659
• 代理人: 王巖

1.一種對于粉末壓結類靶材焊接面的鍍鎳方法，其特征在于，所述鍍鎳方法包括：

將表面處理后的粉末壓結類靶材放入物理氣相沉積爐內，對粉末壓結類靶材焊接面先采用鈦靶進行PVD轟擊處理，再采用鎳靶進行PVD鍍膜處理，得到帶有鎳膜的粉末壓結類靶材。

2.根據權利要求1所述的鍍鎳方法，其特征在于，所述表面處理包括采用清洗液進行擦拭清洗；

優選地，所述清洗液包括純度≥98wt％的乙醇和/或純度≥95wt％的異丙醇。

3.根據權利要求1或2所述的鍍鎳方法，其特征在于，在所述表面處理之后，在將所述粉末壓結類靶材放入物理氣相沉積爐之前，對所述粉末壓結類靶材依次進行包裹處理、減震處理。

4.根據權利要求3所述的鍍鎳方法，其特征在于，所述包裹處理包括采用石墨紙對粉末壓結類靶材的非焊接面進行包裹；

優選地，所述減震處理包括在所述粉末壓結類靶材的濺射面上設置硅膠墊。

5.根據權利要求1～4任一項所述的鍍鎳方法，其特征在于，在將所述粉末壓結類靶材放入物理氣相沉積爐之后，在所述轟擊處理之前，進行抽真空與預熱；

優選地，所述抽真空的目標真空度為1×10^-4～1×10^-3Pa；

優選地，所述預熱的目標溫度為80～120℃；

優選地，所述預熱的保溫時間為1～1.5h。

6.根據權利要求1～5任一項所述的鍍鎳方法，其特征在于，所述PVD轟擊處理的溫度為100～140℃；

優選地，所述PVD轟擊處理的時間為120～180s；

優選地，所述PVD轟擊處理的真空度為1.5×10^-1～2.5×10^-1Pa；

優選地，所述PVD轟擊處理的功率為8000～12000kW·h。

7.根據權利要求1～6任一項所述的鍍鎳方法，其特征在于，所述PVD鍍膜處理的溫度為120～180℃；

優選地，所述PVD鍍膜處理的真空度為3×10^-1～4×10^-1Pa；

優選地，所述PVD鍍膜處理的功率為2400～3600kW·h；

優選地，所述PVD鍍膜處理的時間為3～5h；

優選地，所述PVD鍍膜處理的中間氣體為氬氣。

8.根據權利要求1～7任一項所述的鍍鎳方法，其特征在于，所述鎳膜的厚度為5～8μm。

9.根據權利要求1～8任一項所述的鍍鎳方法，其特征在于，在所述PVD鍍膜處理之后，關閉所述物理氣相沉積爐，待1～3h后取出所述帶有鎳膜的粉末壓結類靶材，通過空冷降至室溫。

10.根據權利要求1～9任一項所述的鍍鎳方法，其特征在于，所述鍍鎳方法包括如下步驟：

(1)對粉末壓結類靶材采用清洗液進行擦拭清洗以完成表面處理，所述清洗液包括純度≥98wt％的乙醇和/或純度≥95wt％的異丙醇，隨后對所述粉末壓結類靶材依次進行包裹處理、減震處理，所述包裹處理包括采用石墨紙對粉末壓結類靶材的非焊接面進行包裹，所述減震處理包括在所述粉末壓結類靶材的濺射面上設置硅膠墊；

(2)將步驟(1)處理后的粉末壓結類靶材放入物理氣相沉積爐內進行抽真空與預熱，所述抽真空的目標真空度為1×10^-4～1×10^-3Pa，所述預熱的目標溫度為80～120℃，所述預熱的保溫時間為1～1.5h；

(3)對步驟(2)處理后的粉末壓結類靶材焊接面先采用鈦靶進行PVD轟擊處理，再采用鎳靶進行PVD鍍膜處理；控制所述PVD轟擊處理的溫度為100～140℃，時間為120～180s，真空度為1.5×10^-1～2.5×10^-1Pa，功率為8000～12000kW·h；控制所述PVD鍍膜處理的溫度為120～180℃，真空度為3×10^-1～4×10^-1Pa，功率為2400～3600kW·h，時間為3～5h，中間氣體為氬氣；

(4)在步驟(3)所述PVD鍍膜處理之后，關閉所述物理氣相沉積爐，待1～3h后取出所述帶有鎳膜的粉末壓結類靶材，通過空冷降至室溫，得到帶有厚度為5～8μm鎳膜的粉末壓結類靶材。