[發(fā)明專利]一種高速短波通信探測(cè)器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110530140.X
• 申請(qǐng)日: 2021-05-14
• 公開（公告）號(hào): CN113299775B
• 公開（公告）日: 2023-02-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李沖;李巍澤;楊帥;李占杰;張琛輝;關(guān)鍇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京工業(yè)大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L31/0232
• 分類號(hào): H01L31/0232;H01L31/108
• 代理公司: 北京匯信合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11335
• 代理人: 王維新

1.一種高速短波通信探測(cè)器，其特征在于，應(yīng)用在藍(lán)綠光波段和紫外光波段，包括：

襯底層，所述襯底層為n⁺襯底層；

短波吸收層，所述短波吸收層位于所述襯底層上，在所述短波吸收層內(nèi)周期性形成光子晶體，所述短波吸收層厚度由所述光子晶體的陷光效率決定，所述光子晶體的陷光效率和入射光的中心波長(zhǎng)相關(guān)，所述短波吸收層的材料為Si、GeSn、InP、InGaAs、GaN、ZnSe或CdSe，且所述短波吸收層為n^-吸收層，所述光子晶體在所述短波吸收層上呈周期性排列；

透明電極層，所述透明電極層覆蓋在所述短波吸收層上，使得所述透明電極層和所述短波吸收層形成肖特基結(jié)，所述透明電極層的材料為石墨烯、Al:ZnO、氧化銦錫、納米銀線或碳納米管；

其中，在所述透明電極層上生長(zhǎng)有第一金屬電極；在所述襯底層的背面上生長(zhǎng)有第二金屬電極。

2.如權(quán)利要求1所述的一種高速短波通信探測(cè)器，其特征在于，通過所述光子晶體改變色散曲線斜率實(shí)現(xiàn)慢光效應(yīng)，從而增加了光吸收。

3.如權(quán)利要求1所述的一種高速短波通信探測(cè)器，其特征在于，所述第一金屬電極為叉指電極，所述第二金屬電極為平面電極。

4.如權(quán)利要求1所述的一種高速短波通信探測(cè)器，其特征在于，與微電子集成電路通過CMOS工藝集成。