[發明專利]一種永磁電機空載氣隙磁場分析方法在審
| 申請號： | 202110529123.4 | 申請日： | 2021-05-14 |
| 公開（公告）號： | CN113076665A | 公開（公告）日： | 2021-07-06 |
| 發明（設計）人： | 李斌;劉征;李桂丹 | 申請（專利權）人： | 天津大學 |
| 主分類號： | G06F30/20 | 分類號： | G06F30/20 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限責任專利代理事務所 12201 | 代理人： | 程毓英 |
| 地址： | 300072*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 永磁 電機 空載 磁場 分析 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種永磁電機空載氣隙磁場分析方法，包括下列步驟：
1)基于子域法得到單槽電機的氣隙磁場分布，并將單槽電機模型的磁場解析解依據相位關系疊加，得到永磁電機總磁場的分布：
其中為單槽模型的空載氣隙磁場解析表達式，下角標Ⅲ為氣隙區域Ⅲ，上角標i為第i個槽對應的區域，Ns為電機槽數，θ為極坐標系下切向位置，θi為第i個槽所對應的角度。
2)對于電機無槽模型，在平面極坐標系下，徑向磁場磁通密度為：
切向磁場磁通密度為：
其中Brl為電機徑向磁密，Bθl為電機切向磁密，n為氣隙和永磁體區域磁場的諧波階數，Pr為電機極對數，Rs為定子半徑，Rr為轉子內半徑，Rm為永磁體表面半徑，μ0為真空磁導率，μr為相對磁導率，Mrn為由傅里葉形式表示的永磁體徑向磁場強度的幅值，r是極坐標系下徑向位置。
3)將疊加后的磁場與無槽模型磁場結合，得到永磁電機空載氣隙磁場全局模型，求得電機徑向磁場分布：
Br＝Bsup-(Ns-1)Brl；
其中，Br為電機徑向磁密，Bsup是單槽電機模型疊加后的總磁密，Ns為電機槽數，Brl為無槽時電機徑向磁密。
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