[發明專利]光刻膠的涂布方法及其光刻方法

在審

• 申請號: 202110526801.1
• 申請日: 2021-05-14
• 公開（公告）號: CN113391520A
• 公開（公告）日: 2021-09-14
• 發明（設計）人: 成智國;官錫俊;郭曉波
• 申請（專利權）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號: G03F7/16
• 分類號: G03F7/16
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 郭立

1.一種光刻膠的涂布方法，其特征在于，包括：

步驟S1，在硅晶圓表面涂布一層抗反射層；

步驟S2，將所述抗反射層烘烤成型；

步驟S3，在所述抗反射層上涂布標準曝光厚度的光刻膠，并烘烤成型；

所述硅晶圓表面帶有不平整襯底，所述抗反射層的厚度略大于所述不平整襯底中凸起的高度；

所述抗反射層能夠溶于顯影液。

2.如權利要求1所述的光刻膠的涂布方法，其特征在于：

所述步驟S2中，還包括步驟S21，用橢偏儀量測所述硅晶圓表面內所述抗反射層的整體厚度分布值，量測點為多個；

還包括步驟S22，將所述厚度分布值反饋給顯影機內熱板傳感器，所述顯影機根據所述厚度分布值，調整所述硅晶圓表面內不同區域的烘烤溫度。

3.如權利要求2所述的光刻膠的涂布方法，其特征在于：

所述步驟S21中，多個所述量測點在所述硅晶圓表面均勻分布。

4.如權利要求2所述的光刻膠的涂布方法，其特征在于：

所述步驟S22中，所述顯影機內熱板傳感器在所述硅晶圓表面均勻分布。

5.如權利要求1所述的光刻膠的涂布方法，其特征在于：

所述不平整襯底中凸起的高度大致為1300埃。

6.如權利要求1所述的光刻膠的涂布方法，其特征在于：

所述抗反射層為有機抗反射層。

7.一種光刻方法，其特征在于，包括：

如前述任一權利要求所述的步驟S1至S3，

還包括如下步驟，

步驟S4，涂布標準厚度的頂部抗反射層，烘烤成型；

步驟S5，曝光顯影形成所需曝光圖形；

步驟S6，正對所述曝光圖形方向進行離子注入，形成所需的半導體摻雜。

8.如權利要求7所述的光刻方法，其特征在于：

所述步驟S5中還包括步驟51，量測所述曝光圖形尺寸，量測整個所述硅晶圓表面內所有所述曝光圖形尺寸的均勻性。

9.如權利要求7所述的光刻方法，其特征在于：

所述步驟S5中還包括步驟51，量測所述曝光圖形尺寸，量測所述曝光圖形位置在所述硅晶圓表面不平整薄膜的凸起位置周圍的所述曝光圖形尺寸的均勻性。