[發明專利]一種固態存儲方法及固態存儲裝置

在審

• 申請號: 202110525271.9
• 申請日: 2021-05-14
• 公開（公告）號: CN113296701A
• 公開（公告）日: 2021-08-24
• 發明（設計）人: 谷衛青;唐先芝;郝晨;高明揚;王劍立
• 申請（專利權）人: 堯云科技（西安）有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 西安億諾專利代理有限公司 61220
• 代理人: 李永剛

1. 一種固態存儲方法，其特征在于，所述固態存儲方法用于混合使用DRAM和非易失性存儲介質作為固態存儲設備的系統；所述固體存儲方法包括：將DRAM用于讀、寫緩存，同時用于存儲FTL映射表，NAND flash壞塊表，可用資源表和元數據；所述非易失性存儲介質用于寫緩存和存儲更新后未寫入存儲芯片的FTL映射表。

2.根據權利要求1所述固態存儲方法，其特征在于：所述非易失性存儲介質在固態存儲設備正常工作寫入的情況下只有寫入操作，沒有讀取操作；在意外掉電時候非易失性存儲介質只有讀取操作。

3.根據權利要求1或2所述固態存儲方法，其特征在于：所述DRAM用于寫緩存和存儲FTL映射表的空間為DRAM的指定地址；系統自動檢測DRAM的寫操作，當檢測到指定地址的寫操作時，將寫入指定地址的數據復制到非易失性存儲介質中；將寫入非易失性存儲介質的地址與DRAM當中對應的地址建立對應關系。

4.根據權利要求1或2所述固態存儲方法，其特征在于：所述非易失性存儲介質還可用于存儲所述固態存儲設備運行中產生的其他信息。

5. 一種固態存儲裝置，其特征在于包括：主控芯片、用于存儲數據的NAND flash、DRAM、非易失性存儲介質和數據訪問控制模塊；所述NAND flash和DRAM均與主控芯片相電連接；所述非易失性存儲介質與主控芯片相電連接或經數據訪問控制模塊與主控芯片相電連接；所述DRAM與數據訪問控制模塊相電連接。

6.根據權利要求5所述固態存儲裝置，其特征在于：所述DRAM和非易失性存儲介質分別通過各自的接口與主控芯片相電連接；或所述DRAM和非易失性存儲介質共用一個接口與主控芯片相電連接。

7.根據權利要求6所述固態存儲裝置，其特征在于：所述數據訪問控制模塊集成在主控芯片內。

8.根據權利要求7所述固態存儲裝置，其特征在于：所述非易失性存儲介質集成在主控芯片內。

9.根據權利要求8所述固態存儲裝置，其特征在于：所述數據訪問控制模塊為FPGA模塊。