[發(fā)明專利]以三聚氰胺作添加劑改善電池吸光層的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110523035.3 | 申請(qǐng)日: | 2021-05-13 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113206202B | 公開(公告)日: | 2022-12-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 曾文進(jìn);張雪敬;閔永剛;夏瑞東;葉茹;袁超超 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 南京郵電大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L51/48 | 分類號(hào): | H01L51/48;H01L51/42 |
| 代理公司: | 南京正聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32243 | 代理人: | 王素琴 |
| 地址: | 210000 *** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 三聚 氰胺作 添加劑 改善 電池 吸光層 方法 | ||
本發(fā)明公開一種以三聚氰胺作添加劑改善電池吸光層的方法,首先將碘化錫、甲酰胺、三聚氰胺和氟化錫按比例溶在DMF和DMSO的混合溶劑中制成前驅(qū)體溶液,再將前驅(qū)體溶液旋涂到空穴傳輸層上,旋涂時(shí)間為30 s,在旋涂12 s時(shí)滴涂反溶劑氯苯,之后再進(jìn)行退火處理即可得到吸光層。三聚氰胺本身所具備的還原性能,可抑制Sn2+氧化為Sn4+,減少Sn空位的形成,防止鈣鈦礦薄膜表面針孔等缺陷的產(chǎn)生,有助于改善鈣鈦礦薄膜的表面形貌,提高電池的功率轉(zhuǎn)換效率;且其化學(xué)結(jié)構(gòu)中的氮離子存在孤對(duì)電子,可以與Sn2+形成配位鍵,減緩控制鈣鈦礦形成過(guò)程中的結(jié)晶速率,使鈣鈦礦薄膜覆蓋更加均勻致密,電池的效率和穩(wěn)定性都得到提升。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種以三聚氰胺作添加劑改善電池吸光層的方法。
背景技術(shù)
近年來(lái),有機(jī)-無(wú)機(jī)雜化太陽(yáng)能電池由于具備結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、制備成本低、合適且可調(diào)控的帶隙、高消光系數(shù)、雙極載流子傳輸和可制備柔性器件等特點(diǎn)而備受矚目,能量轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)由3.8%提高到了25.2%。然而,現(xiàn)階段此類高性能的鈣鈦礦電池均主要使用鉛鹵鈣鈦礦材料作吸光層,嚴(yán)重危害生態(tài)環(huán)境和人身安全。因此亟需尋求一種無(wú)毒的非鉛鈣鈦礦電池。
在非鉛鈣鈦礦太陽(yáng)能電池中,人們常用鍺離子(Ge2+)、錫離子(Sn2+)、銻離子(Sb3+)、鉍離子(Bi3+)等來(lái)代替鉛離子作為無(wú)鉛鈣鈦礦材料,其中錫基鈣鈦礦太陽(yáng)能電池以其高吸收系數(shù)、小激子結(jié)合能和高電荷載流子遷移率等優(yōu)異的光學(xué)和電學(xué)性能而成為最具發(fā)展?jié)摿Φ囊活愲姵夭牧稀cU基鈣鈦礦的吸收帶隙在1.5-1.8 eV之間,錫基鈣鈦礦的吸收帶隙大約為1.3 eV,錫基鈣鈦礦更接近根據(jù)Shockley?Queisser極限理論推出的單節(jié)太陽(yáng)能電池最高效率33%對(duì)應(yīng)的吸收帶隙為1.34 eV。這表明錫基鈣鈦礦太陽(yáng)能電池理論上可以獲得更高的短路電流密度并達(dá)到理論極限轉(zhuǎn)換效率。但是由于Sn的空位形成能很低,導(dǎo)致Sn2+非常容易氧化成Sn4+,且作為鈣鈦礦前驅(qū)體材料之一的碘化亞錫(SnI2)與有機(jī)胺鹽之間反應(yīng)速率過(guò)快,使得鈣鈦礦的結(jié)晶速率過(guò)快以至于難以得到均勻致密的鈣鈦礦薄膜,限制了錫基鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的效率和穩(wěn)定性的提高。
中國(guó)專利CN 111952455 A公開一種離子液體型有機(jī)大體積胺分子鹽制備低維錫基鈣鈦礦薄膜及其太陽(yáng)能電池和應(yīng)用,其主要利用特殊的離子液體型有機(jī)大體積胺分子鹽丁胺乙酸鹽作為前驅(qū)液,通過(guò)胺分子鹽與錫基鈣鈦礦骨架之間的強(qiáng)相互作用來(lái)控制低維錫基鈣鈦礦的結(jié)晶過(guò)程,進(jìn)而得到低缺陷態(tài)密度、表面光滑致密的薄膜,最終提升太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)化效率和器件穩(wěn)定性,但是該方案不能有效阻止Sn2+的氧化,且前驅(qū)液的配制較為繁瑣,所用離子液體型有機(jī)大體積胺分子鹽丁胺乙酸鹽來(lái)源窄,獲取難度大,影響整體制備效率,不利于大規(guī)模的生產(chǎn)應(yīng)用。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種以三聚氰胺作添加劑改善電池吸光層的方法,通過(guò)三聚氰胺的氧化和配位作用提高鈣鈦礦薄膜的結(jié)晶度,鈍化鈣鈦礦薄膜表面缺陷,改善鈣鈦礦薄膜的表面形貌,提高錫基鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的功率轉(zhuǎn)換效率。
本發(fā)明的技術(shù)方案為:一種以三聚氰胺作添加劑改善電池吸光層的方法,制備吸光層的時(shí),先將碘化錫(SnI2)、甲酰胺(FAI)、1,3,5-三嗪-2,4,6-三胺(三聚氰胺)和氟化錫(SnF2)按比例溶在N,N-二甲基甲酰胺(DMF)和二甲亞砜(DMSO)的混合溶劑中制成前驅(qū)體溶液,再將添加有三聚氰胺的前驅(qū)體溶液旋涂到空穴傳輸層上,旋涂時(shí)間為30 s,在旋涂12 s時(shí)滴涂反溶劑氯苯,之后再進(jìn)行退火處理以得到吸光層。
進(jìn)一步地,碘化錫、甲酰胺、三聚氰胺和氟化錫的摩爾比為1:1:0.01:0.1。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
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