[發明專利]一種寬入射角度的電磁吸收結構

有效

• 申請號: 202110521728.9
• 申請日: 2021-05-13
• 公開（公告）號: CN113381200B
• 公開（公告）日: 2022-07-15
• 發明（設計）人: 鐘碩敏;張豫
• 申請（專利權）人: 寧波大學
• 主分類號: H01Q17/00
• 分類號: H01Q17/00
• 代理公司: 寧波奧圣專利代理有限公司 33226
• 代理人: 方小惠

1.一種寬入射角度的電磁吸收結構，其特征在于包括從上到下層疊的ITO圖案層、基板、介質損耗層以及良導體層，所述的基板、所述的介質損耗層以及所述的良導體層分別為矩形板，且所述的基板、所述的介質損耗層以及所述的良導體層從上到下完全重合；所述的ITO圖案層由第一ITO結構和第二ITO結構組成，所述的第一ITO結構和所述的第二ITO結構均附著在所述的基板的上表面，所述的第一ITO結構包括第一矩形ITO、第二矩形ITO、第三矩形ITO、第四矩形ITO、第五矩形ITO、第六矩形ITO、第七矩形ITO、第八矩形ITO、第九矩形ITO、第十矩形ITO、第十一矩形ITO、第十二矩形ITO、第十三矩形ITO、第十四矩形ITO和工字型ITO，所述的第一矩形ITO、所述的第二矩形ITO、所述的第三矩形ITO、所述的第四矩形ITO、所述的第五矩形ITO、所述的第六矩形ITO、所述的第七矩形ITO、所述的第八矩形ITO和所述的工字型ITO按照從右到左的順序依次平行間隔排列，所述的第一矩形ITO的右端面所在平面平行于所述的基板的右端面所在平面，所述的第一矩形ITO、所述的第二矩形ITO、所述的第三矩形ITO、所述的第四矩形ITO、所述的第五矩形ITO、所述的第六矩形ITO、所述的第七矩形ITO和所述的第八矩形ITO沿前后方向的長度逐個增大，所述的第一矩形ITO、所述的第二矩形ITO、所述的第三矩形ITO、所述的第四矩形ITO、所述的第五矩形ITO、所述的第六矩形ITO、所述的第七矩形ITO和所述的第八矩形ITO沿左右方向的長度也逐個增大，所述的工字型ITO沿前后方向的長度大于所述的第八矩形ITO沿前后方向的長度，所述的第九矩形ITO、所述的第十矩形ITO和所述的第十一矩形ITO位于所述的工字型ITO的左側，所述的第九矩形ITO的前端面所在平面位于所述的工字型ITO的前端面所在平面的前側，且兩者平行，所述的第十矩形ITO位于所述的第九矩形ITO的后側，所述的第九矩形ITO的后端面與所述的第十矩形ITO的前端面的中部連接，所述的第十一矩形ITO位于所述的第十矩形ITO的后側，所述的第十矩形ITO的后端面與所述的第十一矩形ITO的前端面連接，所述的第十一矩形ITO的右端面與所述的第十矩形ITO的右端面齊平，所述的第十矩形ITO沿左右方向的長度大于所述的第十一矩形ITO沿左右方向長度的兩倍，所述的第十二矩形ITO的后端面所在平面位于所述的工字型ITO的后端面所在平面的后側，且兩者平行，所述的第十三矩形ITO位于所述的第十二矩形ITO的前側，所述的第十二矩形ITO的前端面與所述的第十三矩形ITO的后端面的中部連接，所述的第十四矩形ITO位于所述的第十三矩形ITO的前側，所述的第十三矩形ITO的前端面與所述的第十四矩形ITO的后端面連接，所述的第十四矩形ITO的左端面與所述的第十三矩形ITO的左端面齊平，所述的第十四矩形ITO的右端面與所述的第十一矩形ITO的左端面之間具有一段距離，所述的第十四矩形ITO的前端面與所述的第十矩形ITO的后端面之間具有一段距離，所述的第十三矩形ITO的前端面與所述的第十一矩形ITO的后端面之間具有一段距離，所述的第二ITO結構位于所述的第一ITO結構的左側，且兩者為左右對稱結構。