[發明專利]半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 202110520642.4
• 申請日: 2021-05-13
• 公開（公告）號: CN114078968B
• 公開（公告）日: 2023-07-28
• 發明（設計）人: 黃堯峰;溫文瑩
• 申請（專利權）人: 新唐科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/06;H01L29/40;H01L21/335
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 侯天印;郝博

本發明提供一種半導體裝置的制造方法。半導體裝置的制造方法包含將第一停止層形成于半導體結構之上。半導體裝置的制造方法也包含將源極結構與漏極結構形成于半導體結構之上并與第一停止層相鄰。源極結構與漏極結構彼此分離。半導體裝置的制造方法更包含將堆疊結構形成于第一停止層、源極結構與漏極結構之上。部分堆疊結構位于源極結構與漏極結構之間。此外，半導體裝置的制造方法包含通過多個濕刻蝕工藝與至少一干刻蝕工藝在堆疊結構中形成凹槽。凹槽裸露第一停止層的頂表面。半導體裝置的制造方法也包含將柵電極層形成于凹槽中。本發明能有效解決階梯覆蓋的問題，同時可簡化工藝進而縮短工藝時間并降低制造成本。

技術領域

本揭露實施例是有關于一種半導體裝置的制造方法，且特別是有關于一種通過多個濕刻蝕工藝與至少一干刻蝕工藝以形成具有場板(field?plate)的半導體裝置的制造方法。

背景技術

在半導體工業中，常以III-V族化合物(例如，氮化鎵(Gallium?nitride，GaN)形成各種集成電路裝置，例如：高電子遷移率電晶體(HEMT)裝置。III-V族化合物所形成的元件因具有低導通電阻、高速切換頻率、高擊穿電壓及高溫操作等優越性能，常應用于高功率元件/模組產業中。

因III-V族化合物(例如，氮化鎵(GaN))元件進行開關操作時容易受到不同偏壓和脈沖條件的影響，使得外延片或元件內部的缺陷抓住或釋放電子，導致元件的導通電阻會隨著偏壓條件或操作頻率而變化，產生電流坍塌(current?collapse)的現象，造成元件的動態特性劣化。為了有效改善元件的動態特性，可使用元件表面防護層(surfacepassivation)、場板(field?plate)等設計來改善電流坍塌的現象。

然而，在一般形成場板的工藝中，需要進行多層的導電材料(例如，包含金屬層或半導體結構)堆疊，造成工藝繁雜。此外，在堆疊導電材料的過程中，可能由于堆疊產生的階梯結構，造成階梯覆蓋(step?coverage)的問題(即場板覆蓋不完整導致導電材料斷線)。

發明內容

本揭露實施例是有關于一種形成具有場板的半導體裝置的制造方法，其通過多個濕刻蝕工藝與至少一干刻蝕工藝，能有效解決階梯覆蓋的問題。再者，所形成的場板為一單層結構，不需要進行多層的導電材料堆疊，可簡化工藝進而縮短工藝時間并降低制造成本。

本揭露實施例包含一種半導體裝置的制造方法。半導體裝置的制造方法包含將第一停止層形成于半導體結構之上。半導體裝置的制造方法也包含將源極結構與漏極結構形成于半導體結構之上并與第一停止層相鄰。源極結構與漏極結構彼此分離。半導體裝置的制造方法更包含將堆疊結構形成于第一停止層、源極結構與漏極結構之上。部分堆疊結構位于源極結構與漏極結構之間。此外，半導體裝置的制造方法包含通過多個濕刻蝕工藝與至少一干刻蝕工藝在堆疊結構中形成凹槽。凹槽裸露第一停止層的頂表面。半導體裝置的制造方法也包含將柵電極層形成于凹槽中。

本揭露實施例包含一種半導體裝置的制造方法。半導體裝置的制造方法包含將第一停止層形成于半導體結構之上。半導體裝置的制造方法也包含將源極結構與漏極結構形成于半導體結構之上并與第一停止層相鄰。源極結構與漏極結構彼此分離。半導體裝置的制造方法更包含將第一絕緣層、第二停止層與第二絕緣層依序形成于第一停止層、源極結構與漏極結構之上。部分第一絕緣層、部分第二停止層及部分第二絕緣層位于源極結構與漏極結構之間。此外，半導體裝置的制造方法包含執行濕刻蝕工藝以在第二絕緣層上形成第一移除空間。半導體裝置的制造方法也包含執行干刻蝕工藝以移除第二停止層的一部分。半導體裝置的制造方法更包含執行另一濕刻蝕工藝以在第一絕緣層上形成第二移除空間。再者，半導體裝置的制造方法包含將柵電極層形成于第一移除空間與第二移除空間中。