[發明專利]雙根納米天線間隙腔定向增強MoS2的熒光發射方法

有效

• 申請號: 202110520477.2
• 申請日: 2021-05-13
• 公開（公告）號: CN113265238B
• 公開（公告）日: 2022-09-27
• 發明（設計）人: 王培杰;尤卿章;李澤;張利勝;方炎
• 申請（專利權）人: 首都師范大學
• 主分類號: C09K11/02
• 分類號: C09K11/02;C09K11/68;G02B5/00;B22F1/062;B22F9/24;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 北京八月瓜知識產權代理有限公司 11543
• 代理人: 李斌

1.一種雙根納米天線間隙腔定向增強MoS2的熒光發射方法，其特征在于：包括分別制備銀納米線和載有單層二硫化鉬的硅片襯底；之后將銀納米線滴在載有單層二硫化鉬的硅片襯底上；然后選取帶有雙根納米天線的二硫化鉬即可；

所述銀納米線的制備方法，包括以下步驟：

步驟一、分別稱取AgNO3、PVP、NaCl和乙二醇，備用，每10ml乙二醇對應AgNO3 1000mg、PVP 700mg、NaCl 5mg；

步驟二、將PVP溶于乙二醇中攪拌，待乙二醇完全溶解后避光加入AgNO3，當AgNO3完全溶解后加入NaCl，攪拌后倒入反應釜中，之后放入加熱箱中加熱；

步驟三、加熱停止后，將裝有反應液的反應釜置于常溫下使溫度降到室溫，然后打開反應釜將上部分液體倒入離心管中作為廢液處理掉，然后對反應釜中剩余絮狀物用無水乙醇沖洗，沖洗出來的納米線置于離心管中保存，沖洗直到無絮狀物為止，取最后一次稀釋液1mm用無水乙醇稀釋10倍，用酒精丙酮交替洗滌多次，獲得所述的銀納米線。

2.根據權利要求1所述雙根納米天線間隙腔定向增強MoS2的熒光發射方法，其特征在于，所述單層二硫化鉬的制備方法，包括以下步驟：

(1)從樣品盒中取出二硫化鉬塊體材料，用鑷子固定二硫化鉬塊體材料一邊，將其置于膠帶帶有粘性一面的表面中心處，然后以樣品為中心多次對折；

(2)取另一條膠帶，將膠帶粘性面與步驟(1)多次對折后粘有二硫化鉬的膠帶面粘貼在一起，然后將其分開，反復進行3-5次以此獲得單層及少數層二硫化鉬；

(3)將步驟(2)最后一次分開后的膠帶水平放置，其中，帶有二硫化鉬材料的一面向上，之后將切好的硅片襯底光面朝下放在帶有二硫化鉬材料的膠帶上，使硅片與二硫化鉬材料充分接觸，期間避免有氣泡產生，然后將粘有硅片的膠帶硅片向下放在加熱臺上加熱，加熱后將膠帶與硅片襯底分離開，獲得載有單層二硫化鉬的硅片襯底。

3.根據權利要求2所述雙根納米天線間隙腔定向增強MoS2的熒光發射方法，其特征在于：所述的步驟(2)還包括將兩個膠帶端部對齊，使其粘性面接觸后，去除兩膠帶中間的氣泡，之后再分開兩膠帶。

4.根據權利要求2或3所述雙根納米天線間隙腔定向增強MoS2的熒光發射方法，其特征在于：還包括重復多次分開兩膠帶，以獲得二硫化鉬。

5.根據權利要求2所述雙根納米天線間隙腔定向增強MoS2的熒光發射方法，其特征在于：步驟(3)中硅片與二硫化鉬材料充分接觸后的加熱溫度為90℃，加熱時間3min。

6.根據權利要求1所述雙根納米天線間隙腔定向增強MoS2的熒光發射方法，其特征在于：步驟二中加熱箱的加熱溫度為160℃，加熱時間90min。

7.一種如權利要求1-6中任一項所述方法制備的半導體材料，其特征在于：包括載有單層二硫化鉬的硅片襯底和布設在單層二硫化鉬上的銀納米線，其中銀納米線的直徑為50nm-500nm，長度為1um-30um。