[發(fā)明專利]一種全α相鉭涂層的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110517827.X | 申請(qǐng)日: | 2021-05-12 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113235060B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-01-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳漢賓;李忠盛;吳護(hù)林;叢大龍;黃安畏;楊九州;陳大軍;李立;張昭林;付揚(yáng)帆 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)兵器工業(yè)第五九研究所 |
| 主分類號(hào): | C23C14/35 | 分類號(hào): | C23C14/35;C23C14/16 |
| 代理公司: | 重慶晶智匯知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 50229 | 代理人: | 李靖 |
| 地址: | 400039 *** | 國(guó)省代碼: | 重慶;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 涂層 制備 方法 | ||
1.一種全α相鉭涂層的制備方法,其特征在于:以鉭作為濺射靶材,基體材料加熱后,在氣流量為100~200sccm/min的氬氣形成的0.6~0.95MPa工作壓力下,所述,用霍爾電源對(duì)基體材料表面進(jìn)行轟擊,然后調(diào)節(jié)基體材料正對(duì)靶材,加入直流濺射電流14~25A,待靶材起弧穩(wěn)定后,在基體表面加入直流偏壓40~80V,偏電流為60~90A。
2.如權(quán)利要求1所述的一種全α相鉭涂層的制備方法,其特征在于:所述霍爾電源電流為2~6A,時(shí)間為10~20min。
3.如權(quán)利要求1所述的一種全α相鉭涂層的制備方法,其特征在于:所述鉭靶材與基體材料的間距為20~105mm。
4.如權(quán)利要求1所述的一種全α相鉭涂層的制備方法,其特征在于:所述基體材料加熱至50~200℃,保溫時(shí)間不低于30min。
5.一種全α相鉭涂層的制備方法,其特征在于,按如下步驟進(jìn)行:
步驟一:采用噴60目細(xì)砂或800目以上砂紙打磨處理基體材料,并用酒精清洗;
步驟二:將基體材料固定,與靶材保持20~105mm,抽真空至真空度不高于3×10-3pa;
步驟三:將真空室溫度升至50~200℃,保溫30min以上,同時(shí)以120~200sccm/min的流速通入氬氣,調(diào)節(jié)氣體壓強(qiáng)為0.7~0.8Pa;
步驟四:調(diào)整基體材料正對(duì)霍爾電源,開(kāi)啟霍爾電流為2~6A,保持10~20min,然后調(diào)節(jié)基體材料正對(duì)靶材,在靶材上加入濺射直流電流14~25A,在基體材料上加入直流偏壓40~80V,偏電流為60~90A;
步驟五:沉積完成后,關(guān)閉偏壓、偏電流、濺射直流電流和氬氣,開(kāi)啟冷卻水系統(tǒng),待真空室溫度降至80℃以下后,關(guān)閉真空系統(tǒng)和冷卻水系統(tǒng),冷卻至室溫后取件。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
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