[發明專利]以HX為鹵源的遠端鹵代烷基酮及其合成方法有效
| 申請號: | 202110516201.7 | 申請日: | 2021-05-12 |
| 公開(公告)號: | CN113277935B | 公開(公告)日: | 2022-08-05 |
| 發明(設計)人: | 郭麗娜;段新華;劉帥;白銘 | 申請(專利權)人: | 西安交通大學 |
| 主分類號: | C07C49/80 | 分類號: | C07C49/80;C07C45/53;C07C45/79 |
| 代理公司: | 西安智大知識產權代理事務所 61215 | 代理人: | 弋才富 |
| 地址: | 710049 陜*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | hx 遠端 烷基 及其 合成 方法 | ||
1.以HX為鹵源的遠端鹵代烷基酮的合成方法,其特征在于,包括以下步驟:
(A)將帶有支管的反應管烘干,并加入攪拌子,在氮氣氛圍下,加入環烷基過氧醇和醋酸銅催化劑,氮氣回填,然后將HCl溶液或者HBr溶液或者HI溶液加入反應管中,再加入反應溶劑N-甲基吡咯烷酮,保持反應物的濃度范圍0.1M-0.2M之間,常溫下攪拌1-2小時,反應結束;
(B)反應結束后,加入足量的水萃取反應溶劑N-甲基吡咯烷酮,用飽和食鹽水洗滌,最后有機相用無水硫酸鈉干燥,將有機相減壓濃縮,除去溶劑;
(C)將有機相進行柱層析得到目標產物。
2.根據權利要求1所述的以HX為鹵源的遠端鹵代烷基酮的合成方法,其特征在于,所述的環烷基過氧醇、醋酸銅、HCl/HBr/HI的摩爾比為1:(0.05-0.1):(1.5-2)。
3.根據權利要求1所述的以HX為鹵源的遠端鹵代烷基酮的合成方法,其特征在于,所述柱層析的條件為:使用200—300目規格的硅膠,硅膠與待純化物的質量比為(50-100):1,洗脫劑為石油醚和乙酸乙酯的混合液,混合液中石油醚:乙酸乙酯的體積比為(60-30):1。
4.根據權利要求1所述的以HX為鹵源的遠端鹵代烷基酮的合成方法,其特征在于,所述的環烷基過氧醇包括(1-氫過氧環戊基)苯、(1-氫過氧-2-甲基環己基)苯或1-氫過氧-1-苯基環十二烷。
5.根據權利要求1所述的以HX為鹵源的遠端鹵代烷基酮的合成方法,其特征在于,所述的氮氣回填為至少三次。
6.根據權利要求1所述的以HX為鹵源的遠端鹵代烷基酮的合成方法,其特征在于,HCl溶液質量濃度36%;HBr溶液質量濃度40%;HI溶液質量濃度57%。
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