[發明專利]干法刻蝕射頻放電增強方法和干法刻蝕設備在審
| 申請號： | 202110514730.3 | 申請日： | 2021-05-10 |
| 公開（公告）號： | CN113394091A | 公開（公告）日： | 2021-09-14 |
| 發明（設計）人： | 張杰 | 申請（專利權）人： | 上海華力集成電路制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/3065 | 分類號： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 刻蝕 射頻 放電 增強 方法 設備 | ||
【權利要求書】：
1.一種干法刻蝕射頻放電增強方法，其特征在于，包括：
采用射頻源激發產生等離子體，在發生射頻輝光放電同時，引入脈沖放電。
2.如權利要求1所述的干法刻蝕射頻放電增強方法，其特征在于：射頻輝光放電為連續模式時，能在任意時刻引入脈沖放電。
3.如權利要求1所述的干法刻蝕射頻放電增強方法，其特征在于：射頻輝光放電為脈沖調制模式時，在脈沖關閉時引入脈沖放電。
4.如權利要求1所述的干法刻蝕射頻放電增強方法，其特征在于：所述脈沖放電的脈沖寬度范圍100ns～1500ns。
5.一種用于執行權利要求1-4任意一項所述干法刻蝕射頻放電增強方法中步驟的計算機可讀存儲介質。
6.一種干法刻蝕設備，其特征在于：其脈沖電源在其射頻源發生射頻輝光放電同時執行脈沖放電。
7.如權利要求6所述的干法刻蝕設備，其特征在于：射頻輝光放電為連續模式時，其能在任意時刻引入脈沖放電。
8.如權利要求6所述的干法刻蝕設備，其特征在于：射頻輝光放電為脈沖調制模式時，在脈沖關閉時引入脈沖放電。
9.如權利要求8所述的干法刻蝕設備，其特征在于：其脈沖電源脈沖寬度范圍100ns到1500ns。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
