[發明專利]波長轉換元件在審
| 申請號: | 202110514672.4 | 申請日: | 2021-05-11 |
| 公開(公告)號: | CN113655655A | 公開(公告)日: | 2021-11-16 |
| 發明(設計)人: | 柯俊民 | 申請(專利權)人: | 睿亞光電股份有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/13357 | 分類號: | G02F1/13357 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 張娜;黃健 |
| 地址: | 中國臺灣桃園市*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 波長 轉換 元件 | ||
1.一種波長轉換元件,包含:
波長轉換層,包含透明的第一高分子基材以及多個量子點,所述多個量子點均勻地分布于所述第一高分子基材內,所述第一高分子基材具有第一上表面以及第一下表面;
上阻水阻氣層,包含:
透明的第二高分子基材,具有第二上表面以及第二下表面;
透明的第一無機材料阻水阻氣薄膜,被覆于所述第二高分子基材的所述第二上表面上;
透明的第一高分子阻水阻氣薄膜,被覆于所述第一無機材料阻水阻氣薄膜上;
透明的第三高分子基材,接合于所述第一高分子阻水阻氣薄膜上;以及
透明的第一高分子貼合薄膜,被覆于所述第二高分子基材的所述第二下表面上,其中所述上阻水阻氣層以所述第一高分子貼合薄膜貼合于所述第一高分子基材的所述第一上表面上,所述上阻水阻氣層的第一水氣穿透率為0.01~0.5g/m2·天;以及
下阻水阻氣層,包含:
透明的第四高分子基材,具有第三上表面以及第三下表面;
透明的第二無機材料阻水阻氣薄膜,被覆于所述第四高分子基材的所述第三下表面上;
透明的第二高分子阻水阻氣薄膜,被覆于所述第二無機材料阻水阻氣薄膜上;
透明的第五高分子基材,接合于所述第二高分子阻水阻氣薄膜上;以及
透明的第二高分子貼合薄膜,被覆于所述第四高分子基材的所述第三上表面上,其中所述下阻水阻氣層以所述第二高分子貼合薄膜貼合于所述第一高分子基材的所述第一下表面上,所述下阻水阻氣層的第二水氣穿透率為0.01~0.5g/m2·天。
2.根據權利要求1所述的波長轉換元件,其中所述第一高分子阻水阻氣薄膜以及所述第二高分子阻水阻氣薄膜分別由選自由丙烯酸樹脂、聚環氧樹脂、聚胺樹脂及其組合所組成的群組中的其一所形成。
3.根據權利要求2所述的波長轉換元件,其中所述第一無機材料阻水阻氣薄膜以及所述第二無機材料阻水阻氣薄膜分別由選自由SiCxOy、AlOz、Si3N4以及類鉆石碳所組成的群組中的其一所形成,1x2,0y<1,1z2,所述第一無機材料阻水阻氣薄膜以及所述第二無機材料阻水阻氣薄膜分別通過化學氣相沉積法或物理氣相沉積法所形成,所述第一無機材料阻水阻氣薄膜的第三水氣穿透率為等于或大于0.5g/m2·天,所述第二無機材料阻水阻氣薄膜的第四水氣穿透率為等于或大于0.5g/m2·天。
4.根據權利要求3所述的波長轉換元件,其中所述第二高分子基材的第一厚度范圍為12μm至25μm,所述第一無機材料阻水阻氣薄膜的第二厚度范圍為0.5μm至1.5μm,所述第一高分子阻水阻氣薄膜的第三厚度范圍為1μm至5μm,所述第三高分子基材的第四厚度范圍為25μm至100μm,所述第一高分子貼合薄膜的第五厚度范圍為0.5μm至3μm,所述第四高分子基材的第六厚度范圍為12μm至25μm,所述第二無機材料阻水阻氣薄膜的第七厚度范圍為0.5μm至1.5μm,所述第二高分子阻水阻氣薄膜的第八厚度范圍為1μm至5μm,所述第五高分子基材的第九厚度范圍為25μm至100μm,所述第二高分子貼合薄膜的第十厚度范圍為0.5μm至3μm。
5.根據權利要求4所述的波長轉換元件,其中所述波長轉換層的第十一厚度范圍為20μm至50μm。
6.根據權利要求3所述的波長轉換元件,其中所述第一高分子貼合薄膜以及所述第二高分子貼合薄膜分別由選自由聚硫環氧樹脂、聚乙烯亞胺、甲基丙烯酸甲酯以及聚苯乙烯所組成的群組中的其一所形成。
7.根據權利要求3所述的波長轉換元件,其中所述上阻水阻氣層進一步包含第一擴散薄膜,所述第一擴散薄膜被覆于所述第三高分子基材上,所述第一擴散薄膜具有第一霧度范圍為50~90%,所述下阻水阻氣層進一步包含第二擴散薄膜,所述第二擴散薄膜被覆于所述第五高分子基材上,所述第二擴散薄膜具有第二霧度范圍為0~50%。
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