[發明專利]顯示面板有效
| 申請號: | 202110513060.3 | 申請日: | 2021-05-11 |
| 公開(公告)號: | CN113327953B | 公開(公告)日: | 2022-09-27 |
| 發明(設計)人: | 溫旺林;艾飛;許勇 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L27/12;G06V40/13 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 陳斌 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 | ||
本申請提供一種顯示面板,將顯示面板的指紋識別模塊和存儲電容設置在薄膜晶體管器件層內,并且指紋識別模塊通過電極層與薄膜晶體管的有源層和存儲電容電連接,進而優化陣列基板的結構,同時,顯示面板能更好接收反射回來的光信號,指紋識別性能好,且制備工藝簡單,面板生產成本低。
技術領域
本申請涉及顯示面板顯示技術領域,尤其涉及一種顯示面板。
背景技術
隨著顯示技術的不斷提高,顯示面板的種類也不斷擴大,同時,顯示裝置的顯示質量以及顯示效果也得到不斷的提高。
發光二極管(light emitting diode,LED)顯示面板已被廣泛應用于各種顯示設備之中。為了提高LED的發光效果及性能,常用的LED包括mini-LED和micro-LED,其中,micro-LED的尺寸相比mini-LED的尺寸更小,因此,micro-LED 更適合應用在穿戴等方面,通過將微型micro-LED矩陣化、微縮化以密集的排列在顯示面板內部的各個芯片上,然后在通過巨量轉移將LED陣列的轉移到顯示面板內部的電路板上,并實現LED的發光。但是,現有的技術中,在制備 micro-LED型顯示面板過程中還存在較多的技術難題。由于micro-LED的形狀尺寸均較小,并且顯示面板內部安裝的LED數量巨大,因此,在將巨量的micro-LED 轉移到顯示面板內部進行裝配時,如何實現顯示面板內的陣列基板與巨量的 micro-LED之間較好的進行相互匹配,并保證LED在顯示面板內正常發光的同時,還能保證顯示面板在顯示發光時具有較高的顯示效果和顯示質量,以及簡化生產工藝,還存在一定的技術難題。
綜上所述,現有的顯示面板及顯示裝置,在制備微型micro-LED型顯示面板工藝過程中,如何實現巨量的micro-LED與陣列基板之間較好的進行相互匹配,并保證LED的正常發光以及指紋識別功能,同時又提高顯示面板的顯示質量以及觸控性能,等技術問題亟需改善。
發明內容
本申請實施例提供一種顯示面板,使微型micro-LED能較好的與顯示面板相匹配的同時具有較好的指紋識別功能,同時簡化生產工藝流程,降低面板制造成本。
為解決上述技術問題,本申請實施例提供的技術方法如下:
本申請實施例的第一方面,提供了一種顯示面板,所述顯示面板包括:
薄膜晶體管器件層,所述薄膜晶體管器件層包括薄膜晶體管的源極或漏極、柵極、有源層;
平坦化層,所述平坦化層設置在所述薄膜晶體管器件層上;以及
第一電極層,所述第一電極層設置在所述平坦化層上;以及,
存儲電容,所述存儲電容設置在所述薄膜晶體管器件層的一側;
其中,所述顯示面板還包括指紋識別模塊,所述指紋識別模塊包括感應電極層,所述感應電極層與所述有源層位于同一膜層,且所述存儲電容通過所述第一電極層與所述指紋識別模塊電連接。
根據本申請一實施例,所述顯示面板還包括第二電極層和第一過孔,所述第一過孔設置在所述存儲電容對應的膜層上,所述第二電極層設置在所述第一過孔內。
根據本申請一實施例,所述第二電極層的一端與所述電極層電連接,所述第二電極層的另一端與所述存儲電容的一電極電連接。
根據本申請一實施例,所述存儲電容包括第一金屬層和第二金屬層,所述第一金屬層和所述第二金屬層設置在不同的所述層間介質層上,且所述第一金屬層在所述層間介質層上的投影與所述第二金屬層在所述層間介質層上的投影相重疊。
根據本申請一實施例,所述第一金屬層與所述薄膜晶體管的柵極由同一蝕刻工藝形成。
根據本申請一實施例,所述顯示面板還包括光增強層,所述光增強層圍繞所述指紋識別模塊一圈設置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





