[發明專利]一種蘭姆波諧振器及彈性波裝置

在審

• 申請號: 202110512905.7
• 申請日: 2021-05-11
• 公開（公告）號: CN113114158A
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發明（設計）人: 歐欣;鄭鵬程;張師斌;王成立;周鴻燕
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海微系統與信息技術研究所
• 主分類號: H03H9/02
• 分類號: H03H9/02;H03H9/145
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 林麗麗

1.一種蘭姆波諧振器，其特征在于，所述蘭姆波諧振器包括：

支撐襯底；

壓電薄膜，形成于所述支撐襯底的上表面；

叉指電極，形成于所述壓電薄膜的上表面；

高熱導率薄膜，至少形成于所述叉指電極未覆蓋的所述壓電薄膜的上表面，及/或，形成于所述支撐襯底和所述壓電薄膜之間；

空氣腔，形成于所述支撐襯底中，并使叉指電極所在區域的壓電薄膜和高熱導率薄膜懸空于所述支撐襯底上方。

2.根據權利要求1所述的蘭姆波諧振器，其特征在于，所述高熱導率薄膜形成于所述支撐襯底和所述壓電薄膜之間；或者，所述高熱導率薄膜形成于所述叉指電極未覆蓋的所述壓電薄膜的上表面；或者，所述高熱導率薄膜形成于整個所述壓電薄膜的上表面；或者，所述高熱導率薄膜形成于所述叉指電極未覆蓋的所述壓電薄膜的上表面及所述叉指電極的表面；或者，所述高熱導率薄膜形成于所述支撐襯底和所述壓電薄膜之間，同時還形成于所述叉指電極未覆蓋的所述壓電薄膜的上表面；或者，所述高熱導率薄膜形成于所述支撐襯底和所述壓電薄膜之間，同時還形成于整個所述壓電薄膜的上表面；或者，所述高熱導率薄膜形成于所述支撐襯底和所述壓電薄膜之間，同時還形成于所述叉指電極未覆蓋的所述壓電薄膜的上表面及所述叉指電極的表面。

3.根據權利要求2所述的蘭姆波諧振器，其特征在于，所述蘭姆波諧振器還包括介質層；在所述高熱導率薄膜形成于所述支撐襯底和所述壓電薄膜之間時，所述介質層形成于所述叉指電極未覆蓋的所述壓電薄膜的上表面及所述叉指電極的表面；在所述高熱導率薄膜形成于所述叉指電極未覆蓋的所述壓電薄膜的上表面時，或者，在所述高熱導率薄膜形成于整個所述壓電薄膜的上表面時，所述介質層形成于所述高熱導率薄膜的上表面及所述叉指電極的表面；在所述高熱導率薄膜形成于所述叉指電極未覆蓋的所述壓電薄膜的上表面及所述叉指電極的表面時，所述介質層形成于所述高熱導率薄膜的上表面。

4.根據權利要求1所述的蘭姆波諧振器，其特征在于，所述高熱導率薄膜的熱導率大于100W/(m﹒K)。

5.根據權利要求1所述的蘭姆波諧振器，其特征在于，所述高熱導率薄膜的厚度與所述壓電薄膜的厚度滿足如下關系：200nm≤(h₁+h₂)≤1200nm，且h₁/h₂2.5；其中，h₁為所述高熱導率薄膜的厚度，h₂為所述壓電薄膜的厚度。

6.根據權利要求1所述的蘭姆波諧振器，其特征在于，所述叉指電極中相鄰兩叉指的中心間距滿足如下關系：2(h₁+h₂)p20(h₁+h₂)；其中，p為相鄰叉指電極的中心間距，h₁為所述高熱導率薄膜的厚度，h₂為所述壓電薄膜的厚度。

7.根據權利要求1所述的蘭姆波諧振器，其特征在于，所述叉指電極的金屬化率大于5％，且小于40％。

8.根據權利要求1所述的蘭姆波諧振器，其特征在于，所述壓電薄膜為單晶鈮酸鋰或單晶鉭酸鋰。

9.一種彈性波裝置，其特征在于，所述彈性波裝置包括：至少一個如權利要求1-8任一項所述的蘭姆波諧振器。

10.根據權利要求9所述的彈性波裝置，其特征在于，所述彈性波裝置為濾波器；所述濾波器包括N個串聯的所述蘭姆波諧振器及M個并聯的所述蘭姆波諧振器；或者，所述濾波器包括N個串聯的所述蘭姆波諧振器及M個電感電容集成無源結構，所述電感電容集成無源結構連接于任意兩所述蘭姆波諧振器之間；其中，N為大于等于2的正整數，M為大于等于1的正整數。

11.根據權利要求10所述的彈性波裝置，其特征在于，所述彈性波裝置為多工器，所述多工器包括至少一個濾波器。