[發明專利]用于金剛石薄膜磁成像裝置的微波天線及制作方法在審
| 申請號: | 202110511015.4 | 申請日: | 2021-05-11 |
| 公開(公告)號: | CN113281683A | 公開(公告)日: | 2021-08-20 |
| 發明(設計)人: | 趙龍;趙博文;王鑫;仇茹嘉;楊海濤;謝佳;柯艷國;高博;汪玉;王麗君;陳凡;李圓智;陳嘉;羅大程 | 申請(專利權)人: | 國網安徽省電力有限公司電力科學研究院;安徽省國盛量子科技有限公司;國家電網有限公司 |
| 主分類號: | G01R33/00 | 分類號: | G01R33/00;G01R33/032;G01R29/10;H01Q1/22;H01Q1/36;H05K3/00;H05K3/10 |
| 代理公司: | 北京國林貿知識產權代理有限公司 11001 | 代理人: | 唐維寧;李瑾 |
| 地址: | 230601 安徽省*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 金剛石 薄膜 成像 裝置 微波 天線 制作方法 | ||
1.一種用于金剛石薄膜磁成像裝置的微波天線,包括金剛石薄膜,其特征是:
所述金剛石薄膜設置有一對正負電極,正負電極分別設置在金剛石薄膜的兩端;
所述金剛石薄膜的背面固定設置有微波天線,微波天線為材質是銅或銀的絲線,絲線的兩端分別與正負電極連接;
所述絲線的數量為2條或2條以上;2條以上的絲線平行設置,相鄰2條絲線之間的距離相等。
2.根據權利要求1所述金剛石薄膜磁成像裝置的微波天線,其特征是:所述金剛石薄膜的背面設置有掩膜。
3.根據權利要求1-2任一所述金剛石薄膜磁成像裝置的微波天線,其特征是:所述金剛石薄膜的正面設置有增透膜,增透膜的成分是氟化鈣。
4.一種權利要求1所述金剛石薄膜磁成像裝置的微波天線的制作方法,其步驟是:
A、清洗金剛石薄膜表面,
首先,用酸溶液清洗,
之后,用丙酮溶液清洗;
B、在金剛石薄膜的背面制備掩膜,
在金剛石薄膜的背面除嵌入絲線的縫隙以外處鍍膜;之后將銅或銀注入掩膜的縫隙中形成絲線;
C、在金剛石薄膜的正面鍍增透膜。
5.根據權利要求4所述微波天線的制作方法,其特征是:所述步驟B中,在金剛石薄膜背面制備掩膜的步驟如下,
B1、調配掩膜膠,
調配聚甲基丙烯酸甲酯試劑用作金剛石薄膜的掩膜膠;
B2、將制備好的金剛石薄膜置于勻膠機上,利用真空吸附功能將金剛石薄膜固定,在金剛石薄膜表面滴上聚甲基丙烯酸甲酯試劑;
啟動已設定轉速和時間的勻膠機,金剛石薄膜的背面形成均勻的掩膜;
B3、使用電子束光刻機進行掩膜處理。
6.根據權利要求5所述微波天線的制作方法,其特征是:所述步驟B3中掩膜處理的步驟如下,
b1、通過計算機導入設計的掩膜圖樣;
b2、將金剛石薄膜移至加熱板,加熱溫度180°,加熱時長6分鐘,將聚甲基丙烯酸甲酯掩膜膠固定成型;
b3、使用電子束曝光設備對圖樣位置定位曝光,再將曝光后的金剛石薄膜先放入顯影液中浸泡l分鐘,之后再放入定影液中浸泡20秒;
b4、從定影液中取出金剛石薄膜,使用低流速氮氣槍吹干;
b5、使用透射反射顯微鏡對金剛石薄膜表層成像檢測,掩膜制作完成。
7.根據權利要求5所述微波天線的制作方法,其特征是:在所述步驟B2中,在金剛石薄膜表面滴1ml聚甲基丙烯酸甲酯試劑。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于國網安徽省電力有限公司電力科學研究院;安徽省國盛量子科技有限公司;國家電網有限公司,未經國網安徽省電力有限公司電力科學研究院;安徽省國盛量子科技有限公司;國家電網有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110511015.4/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





