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[發明專利]一種基于Flip Chip LED芯片封裝器件的制作方法在審

專利信息
申請號: 202110509546.X 申請日: 2021-05-11
公開(公告)號: CN113161465A 公開(公告)日: 2021-07-23
發明(設計)人: 謝成林;丁磊;韓玉;李泉涌;彭友 申請(專利權)人: 安徽芯瑞達科技股份有限公司
主分類號: H01L33/48 分類號: H01L33/48;H01L33/62;H01L33/00
代理公司: 安徽申策知識產權代理事務所(普通合伙) 34178 代理人: 梁維尼
地址: 230000 安徽省合肥市經*** 國省代碼: 安徽;34
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摘要:
搜索關鍵詞: 一種 基于 flip chip led 芯片 封裝 器件 制作方法
【權利要求書】:

1.一種基于Flip Chip LED芯片封裝器件的制作方法,其特征在于,包括以下步驟;

步驟一、芯片焊接:通過固晶機和回流爐,將Flip Chip LED芯片焊接到支架上;

步驟二、封裝固化:通過點膠機將混有熒光粉的封裝膠水灌注到支架上,并送入固化爐內固化;

步驟三、外觀檢測:通過顯微鏡檢測或AOI檢測支架上封裝件的外觀,并剔除不良封裝件,提升測試分選速度,降低封裝件工作異常率;

步驟四、測試分選:將支架上的封裝件剝離后經分光機測試后,分成多個參數檔的封裝件;

步驟五、包裝入庫:將分檔收納盒中的封裝件通過編帶機后,包裝后送入倉庫;

所述步驟一的芯片焊接,包括以下步驟:

步驟S01、支架除濕/電漿清洗:將支架送入烤箱進行低溫烘烤,烘干支架表面的水氣;再將支架送入等離子清洗機;

步驟S02、晶片擴晶:在等離子風扇的持續吹掃下,將表面粘貼有電極朝外Flip ChipLED芯片的晶片膜,倒膜至UV膜上,UV膜上的Flip Chip LED芯片電極朝向UV膠面;再通過擴晶機,拉伸擴大UV膜的面積,并使用固定環固定;隨后使用UV燈對UV膜曝光解膠;

所述晶片膜上的Flip Chip LED芯片電極具有經solder bump焊錫凸塊處理的焊錫層;

步驟S03、固晶:將上述固定有經擴晶處理后Flip Chip LED芯片膜的固晶環、除濕清洗后的支架送入固晶機,固晶機的點膠針蘸取助焊劑,并將助焊劑點在待固晶區域;固晶機的吸頭吸取固晶膜上的Flip Chip LED芯片,并將Flip Chip LED芯片送到支架的助焊劑上;

步驟S04、回流焊接:將表面通過助焊劑粘連Flip Chip LED芯片的支架,送入回流爐中,進行回流焊接,使Flip Chip LED芯片的P電極、N電極通過solder bump焊錫凸塊處理的焊錫層的焊錫層、助焊劑分別與支架上的正級、負極焊盤回流焊接;

步驟S05、電漿清洗:經回流焊接有的Flip Chip LED芯片的支架,送入等離子清洗機清洗,去除支架和的Flip Chip LED芯片表面污染物以及殘留的助焊劑,隨后送入防潮儲存。

2.根據權利要求1所述的一種基于Flip Chip LED芯片封裝器件的制作方法,其特征在于,所述步驟S01中,支架除濕的時效為6小時;超過6小時,支架需要進行二次除濕;支架不超過兩次除濕處理;支架電漿清洗的時效為3小時,超過3小時,支架需要進行二次電漿清洗;支架不超過兩次電漿清洗處理。

3.根據權利要求1所述的一種基于Flip Chip LED芯片封裝器件的制作方法,其特征在于,所述步驟S03中,助焊劑的含氧量不超過100ppm;所述步驟S03中待固晶區域為支架鍍層上連接支架正極、負極的交界區域,鍍層為金、銀、銅中的一種;所述步驟S03和所述步驟S04之間的間隔時間不超過2小時。

4.根據權利要求1所述的一種基于Flip Chip LED芯片封裝器件的制作方法,其特征在于,所述步驟S04中,回流焊接條件為:恒溫溫度150~190℃,恒溫時間80~120秒;峰值溫度240~250℃;回流區220℃以上,回流時間50~100℃;回流保護氣體為氮氣;X-RAY測試的焊接空洞率小于10%;焊接的布錫率為90%以上。

5.根據權利要求1所述的一種基于Flip Chip LED芯片封裝器件的制作方法,其特征在于,所述步驟S05中,防潮儲存為將回流焊接后的支架放入防潮柜中儲存,儲存時間不超過7天。

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