[發明專利]一種大容量多引腳支架電容器及其制備方法在審
| 申請號: | 202110509534.7 | 申請日: | 2021-05-11 |
| 公開(公告)號: | CN113130206A | 公開(公告)日: | 2021-07-16 |
| 發明(設計)人: | 朱江濱;吳文輝;吳明釗;吳育東 | 申請(專利權)人: | 福建火炬電子科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01G4/224 | 分類號: | H01G4/224;H01G4/236 |
| 代理公司: | 泉州君典專利代理事務所(普通合伙) 35239 | 代理人: | 宋艷梅 |
| 地址: | 362000 福建省泉州市*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 容量 引腳 支架 電容器 及其 制備 方法 | ||
本發明提供一種大容量多引腳支架電容器及其制備方法,電容器包括兩外側框架、至少一個中部框架、高頻框架、若干陶瓷芯片和高頻芯片,中部框架包括若干依次間隔布置的第一支架,外側框架包括若干依次間隔布置的第二支架,第一支架包括呈“匚”字型的第一引腳,第一支架內外側面均焊接有陶瓷芯片,第一引腳上端與對應的陶瓷芯片接觸以支撐陶瓷芯片,第二支架內側面焊接有陶瓷芯片,陶瓷芯片的兩端分別與相鄰的兩第一支架或者相鄰的第一支架與第二支架焊接,高頻框架與一外側框架或者中部框架連接,高頻芯片焊接在高頻框架上。本發明具有容量大、占用空間小、抗熱變形以及對高次諧波抗性好的特點。
技術領域
本發明涉及一種大容量多引腳支架電容器及其制備方法。
背景技術
陶瓷電容器焊接過程中由于陶瓷材料的材料特性,在經過回流焊焊接后容易因為端頭部位應力集中,和PCB板受熱變形及熱膨脹而造成瓷體開裂現象。為解決上述問題,現有技術方案為使用支架電容器替換傳統芯片陶瓷電容器。但現有的支架電容器的引腳通常為剛性設計,當PCB受熱變形時,所能起到的緩沖作用非常有限,且支架電容器通常是單個的,在需要大容量的場合,只能將多個單個的支架電容器焊接于PCB板上,但是支架電容器對于安裝間距是有要求的,導致多個支架電容器無法密集布置,如此將會造成較大的空間浪費。
發明內容
本發明提出一種大容量多引腳支架電容器及其制備方法,電容器具有容量大、占用空間小、抗熱變形以及對高次諧波抗性好的特點。
本發明通過以下技術方案實現:
一種大容量多引腳支架電容器,包括兩外側框架、至少一個中部框架、高頻框架、若干陶瓷芯片和高頻芯片,中部框架包括若干依次間隔布置的第一支架和分別設置在兩相鄰的第一支架之間的多個緩沖機構,外側框架包括若干依次間隔布置的第二支架和分別設置在兩相鄰的第二支架之間的多個緩沖機構,第一支架包括呈“匚”字型的第一引腳,第一支架內外側面均焊接有陶瓷芯片,第一引腳上端與對應的陶瓷芯片接觸以支撐陶瓷芯片,第二支架內側面焊接有陶瓷芯片,陶瓷芯片的兩端分別與相鄰的兩第一支架或者相鄰的第一支架與第二支架焊接,高頻框架與一外側框架或者中部框架連接,高頻芯片焊接在高頻框架上。
進一步的,所述第一支架還包括豎直布置的第一芯片焊盤和分別設置在第一芯片焊盤下端兩側且水平向內延伸的兩第一限位腳,所述第一引腳包括設置在第一芯片焊盤下端且向外延伸的第一橫板、設置在第一橫板外端的第一豎板和設置在第一豎板下端且向內延伸的第二橫板。
進一步的,所述高頻框架包括相對間隔布置的兩第二芯片焊盤,一第二芯片焊盤與外側框架或者中部框架連接,所述高頻芯片焊接在兩第二芯片焊盤之間。
進一步的,所述第二支架包括豎直布置的第三芯片焊盤、分別設置在第三芯片焊盤下端兩側且水平向內延伸的兩第二限位腳、以及設置在第三芯片焊盤下端的第三引腳,第三引腳包括設置在第三芯片下端的第二豎板和設置在第二豎板下端且水平向內延伸的第三橫板,兩外側框架的第三引腳相對布置,第三引腳下端與第一引腳下端處于同一平面。
進一步的,另一所述第二芯片焊盤下端設置有第二引腳,第二引腳下端與第一引腳下端處于同一平面。
進一步的,所述緩沖機構包括橫截面為弧形的膨脹節。
進一步的,所述第一芯片焊盤和第三芯片焊盤上均開設有排氣孔,排氣孔可以為圓形、多邊形或者十字形。
進一步的,所述兩第一支架或者相鄰的第一支架與第二支架之間焊接有層疊布置的兩陶瓷芯片。
進一步的,所述第二芯片焊盤與外側框架或者中部框架一體連接。
本發明還通過以下技術方案實現:
一種大容量多引腳支架電容器的制備方法,包括如下步驟:
A、首先在一外側框架內側面點上錫膏;
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