[發(fā)明專利]一種雙向粗糙內插管式亥姆霍茲共振吸聲結構

在審

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• 申請日: 2021-05-10
• 公開（公告）號: CN113362796A
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發(fā)明（設計）人: 辛鋒先;張磊
• 申請（專利權）人: 西安交通大學
• 主分類號: G10K11/162
• 分類號: G10K11/162;G10K11/172
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 高博

1.一種雙向粗糙內插管式亥姆霍茲共振吸聲結構，其特征在于，包括腔體(1)，腔體(1)的高度為20～50mm，直徑為20～30mm，腔體(1)的上表面開有小孔，小孔內設置有雙向粗糙內插管(2)，雙向粗糙內插管(2)與腔體(1)采用膠接或焊接方式連接，腔體(1)的下表面固定在需要聲學處理的物體表面，形成雙向粗糙內插管式亥姆霍茲共振吸聲結構，在100～500Hz頻率處的吸聲系數(shù)大于0.99。

2.根據權利要求1所述的雙向粗糙內插管式亥姆霍茲共振吸聲結構，其特征在于，雙向粗糙內插管(2)的內壁面半徑滿足以下函數(shù)關系：

R(z,θ)＝R_n×[1+2ε_a×cos(β_a×z/2/R_n)][1-2ε_c×sin(β_c×θ)]

其中，R_n為雙向粗糙內插管的平均內半徑，ε_a為雙向粗糙內插管的軸向相對粗糙度，β_a為雙向粗糙內插管的軸向波數(shù)，z為沿雙向粗糙內插管長度方向的坐標，ε_c為雙向粗糙內插管的周向相對粗糙度，β_c為雙向粗糙內插管的周向波數(shù)，θ為沿雙向粗糙內插管周向的坐標。

3.根據權利要求1所述的雙向粗糙內插管式亥姆霍茲共振吸聲結構，其特征在于，雙向粗糙內插管(2)的平均內半徑R_n為1.5～3mm。

4.根據權利要求1所述的雙向粗糙內插管式亥姆霍茲共振吸聲結構，其特征在于，雙向粗糙內插管(2)的軸向相對粗糙度ε_a為0.15～0.25。

5.根據權利要求1所述的雙向粗糙內插管式亥姆霍茲共振吸聲結構，其特征在于，雙向粗糙內插管(2)的周向相對粗糙度ε_c為0.1～0.2。

6.根據權利要求1所述的雙向粗糙內插管式亥姆霍茲共振吸聲結構，其特征在于，雙向粗糙內插管(2)的周向波數(shù)β_c為3～12。

7.根據權利要求1所述的雙向粗糙內插管式亥姆霍茲共振吸聲結構，其特征在于，雙向粗糙內插管(2)的長度為15～30mm。

8.根據權利要求1所述的雙向粗糙內插管式亥姆霍茲共振吸聲結構，其特征在于，雙向粗糙內插管(2)的軸向波數(shù)β_a為0.5π～2π。

9.根據權利要求1所述的雙向粗糙內插管式亥姆霍茲共振吸聲結構，其特征在于，腔體(1)的形狀為圓柱型、棱柱型或不規(guī)則形。

10.根據權利要求1所述的雙向粗糙內插管式亥姆霍茲共振吸聲結構，其特征在于，腔體(1)和雙向粗糙內插管(2)采用鋼材、合金、樹脂、木材或復合材料制備而成。