[發(fā)明專利]用于半導(dǎo)體制造的光致抗蝕劑在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110506652.2 | 申請日： | 2021-05-10 |
| 公開（公告）號： | CN113943314A | 公開（公告）日： | 2022-01-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 劉之誠;郭怡辰;陳彥儒;李志鴻;楊棋銘;李資良 | 申請（專利權(quán)）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | C07F5/00 | 分類號： | C07F5/00;C07F7/22;C07F9/94;C07F11/00;G03F7/004 |
| 代理公司： | 北京東方億思知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11258 | 代理人： | 趙艷 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 半導(dǎo)體 制造 光致抗蝕劑 | ||
1.一種有機(jī)金屬前體，所述有機(jī)金屬前體包含：
芳族二齒配體；
與所述芳族二齒配體配位的過渡金屬；和
與所述過渡金屬配位的極紫外(EUV)可裂解配體，
其中所述芳族二齒配體包含多個(gè)吡嗪分子。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)金屬前體，其中所述芳族二齒配體包含2,2’-聯(lián)吡嗪。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)金屬前體，其中所述過渡金屬具有高原子吸收截面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)金屬前體，其中所述過渡金屬選自錫(Sn)、鉍(Bi)、銻(Sb)、銦(In)和碲(Te)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)金屬前體，所述有機(jī)金屬前體還包含：
聚(甲基丙烯酸2-羥乙酯)(pHEMA)、聚(4-羥基苯乙烯)(PHS)、聚縮水甘油醚或聚醚多元醇。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)金屬前體，其中所述EUV可裂解配體包含烯基或羧酸酯基。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)金屬前體，其中所述EUV可裂解配體包含氟取代基。
8.一種極紫外(EUV)光致抗蝕劑前體，所述前體包含：
芳族二齒配體，所述芳族二齒配體包含第一吡嗪環(huán)和第二吡嗪環(huán)；
與所述第一吡嗪環(huán)上的氮原子和所述第二吡嗪環(huán)上的氮原子配位的過渡金屬；
與所述過渡金屬配位的第一EUV可裂解配體；和
與所述過渡金屬配位的第二EUV可裂解配體。
9.一種沉積光致抗蝕劑的方法，所述方法包括：
直接在材料層上沉積光致抗蝕劑層，其中所述光致抗蝕劑層包含前體，所述前體包含：
芳族二齒配體，所述芳族二齒配體包含第一吡嗪環(huán)和第二吡嗪環(huán)，所述第一吡嗪環(huán)包含第一氮原子和第二氮原子，所述第二吡嗪環(huán)包含第一氮原子和第二氮原子，
與所述第一吡嗪環(huán)上的所述第一氮原子和所述第二吡嗪環(huán)上的所述第一氮原子配位的過渡金屬，和
與所述過渡金屬配位的第一EUV可裂解配體和第二EUV可裂解配體；和
將所述光致抗蝕劑層的一部分暴露于EUV輻射以：
使所述第一EUV可裂解配體和所述第二EUV可裂解配體從所述過渡金屬裂解，和
活化所述第一吡嗪環(huán)上的所述第二氮原子和所述第二吡嗪環(huán)上的所述第二氮原子。
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