[發(fā)明專利]集成功率MOSFET的鋰電池保護(hù)芯片及控制電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110506239.6
• 申請(qǐng)日: 2021-05-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113162189B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-01-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱士強(qiáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市卓朗微電子有限公司
• 主分類號(hào): H02J7/00
• 分類號(hào): H02J7/00
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

本申請(qǐng)公開(kāi)一種集成功率MOSFET的鋰電池保護(hù)芯片及其控制電路，芯片包括邏輯控制單元和集成在片內(nèi)至少兩個(gè)功率mosfet管，至少兩個(gè)功率mosfet管用于悉知的鋰電池充電控制與放電控制，少兩個(gè)功率mosfet管均采用悉知的以柵極與邏輯控制單元電性連接，至少兩個(gè)功率mosfet管的柵極與控制統(tǒng)計(jì)單元電性連接，控制統(tǒng)計(jì)單元用于采集至少兩個(gè)功率mosfet管的柵極的控制信號(hào)以及控制信號(hào)的形成時(shí)間，并且控制統(tǒng)計(jì)單元定期將采集的控制信號(hào)以及對(duì)應(yīng)時(shí)間戳形成統(tǒng)計(jì)信號(hào)后發(fā)送給控制分析單元，控制分析單元與參考基準(zhǔn)單元電性連接，控制分析單元以統(tǒng)計(jì)信號(hào)運(yùn)算出參考基準(zhǔn)調(diào)整信號(hào)，控制分析單元用于將參考基準(zhǔn)調(diào)整信號(hào)發(fā)送給參考基準(zhǔn)單元并通過(guò)參考基準(zhǔn)調(diào)整信號(hào)改變基準(zhǔn)電壓或基準(zhǔn)電流。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其是一種集成功率MOSFET的鋰電池保護(hù)芯片及控制電路。

背景技術(shù)

在現(xiàn)有技術(shù)中，中國(guó)發(fā)明申請(qǐng)CN201610124057.1公開(kāi)了集成功率MOSFET的鋰電池保護(hù)芯片，在該技術(shù)中功率MOSFET包括充電控制用MOSFET以及放電控制用MOSFET；放電控制用MOSFET的源極用作電池芯負(fù)極端S1，充電控制用MOSFET的源極用作充電負(fù)極端S2；充電控制用MOSFET的漏極以及放電控制用MOSFET的漏極相互連接作為漏極公共端D；該集成功率MOSFET的鋰電池保護(hù)芯片的過(guò)充電流比較器、短路比較器、第一過(guò)放電流比較器、第二過(guò)放電流比較器的第一輸入端與充電控制用MOSFET的源極端S2連接；過(guò)放電壓比較器、過(guò)充電壓比較器的第一輸入端與分壓器連接；分壓器與電源輸入端VDD連接；過(guò)充電流比較器、過(guò)放電壓比較器、過(guò)充電壓比較器、短路比較器、第一過(guò)放電流比較器、第二過(guò)放電流比較器的第二輸入端與帶隙基準(zhǔn)電路連接；電源復(fù)位模塊和振蕩器模塊分別與邏輯控制器連接；放電過(guò)流檢測(cè)模塊分別連接邏輯控制器與充電控制用MOSFET的源極端S2；充電控制用MOSFET的柵極以及放電控制用MOSFET的柵極分別與邏輯控制器連接，現(xiàn)有技術(shù)中的類似的集成功率MOSFET的鋰電池保護(hù)芯片采用了基本的過(guò)充/過(guò)放電路控制，對(duì)各種類型或壽命點(diǎn)的鋰電池均采用一成不變的控制標(biāo)準(zhǔn)，實(shí)質(zhì)沒(méi)有完全優(yōu)化對(duì)鋰電池保護(hù)的控制。

發(fā)明內(nèi)容

為了克服現(xiàn)有的技術(shù)存在的不足,本發(fā)明提供一種集成功率MOSFET的鋰電池保護(hù)芯片及控制電路。

本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是：

集成功率MOSFET的鋰電池保護(hù)芯片，邏輯控制單元和集成在片內(nèi)至少兩個(gè)功率MOSFET管，至少兩個(gè)功率MOSFET管用于鋰電池充電控制與放電控制，所述的邏輯控制單元與過(guò)充比較單元、過(guò)放比較單元分別電性連接，所述的過(guò)充比較單元、過(guò)放比較單元均與參考基準(zhǔn)單元電性連接，所述的參考基準(zhǔn)單元用于提供基準(zhǔn)電壓或基準(zhǔn)電流，上述的至少兩個(gè)功率MOSFET管均采用以柵極與邏輯控制單元電性連接，上述的至少兩個(gè)功率MOSFET管的柵極與控制統(tǒng)計(jì)單元電性連接，所述的控制統(tǒng)計(jì)單元還與邏輯控制單元、時(shí)鐘單元、控制分析單元分別電性連接，所述的控制統(tǒng)計(jì)單元用于采集至少兩個(gè)功率MOSFET管的柵極的控制信號(hào)以及控制信號(hào)的形成時(shí)間，并且所述的控制統(tǒng)計(jì)單元定期將采集的控制信號(hào)以及對(duì)應(yīng)的時(shí)間戳形成統(tǒng)計(jì)信號(hào)后發(fā)送給控制分析單元，所述的控制分析單元與參考基準(zhǔn)單元電性連接，所述的控制分析單元以統(tǒng)計(jì)信號(hào)運(yùn)算出參考基準(zhǔn)調(diào)整信號(hào)，所述的控制分析單元用于將參考基準(zhǔn)調(diào)整信號(hào)發(fā)送給參考基準(zhǔn)單元并通過(guò)參考基準(zhǔn)調(diào)整信號(hào)改變基準(zhǔn)電壓或基準(zhǔn)電流。

進(jìn)一步，所述的控制分析單元，以及控制分析單元以統(tǒng)計(jì)信號(hào)運(yùn)算出參考基準(zhǔn)調(diào)整信號(hào)均基于鋰電池壽命周期階段性特點(diǎn)配置：