[發(fā)明專利]紫外寬光譜無掩膜光刻成像系統(tǒng)以及光刻機

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110505623.4
• 申請日: 2021-05-10
• 公開（公告）號: CN113219793B
• 公開（公告）日: 2022-06-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李鵬飛;楊宇航;蔡濰;戚蓉蓉
• 申請（專利權(quán)）人: 合肥芯碁微電子裝備股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G02B13/00;G02B13/22
• 代理公司: 北京景聞知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11742
• 代理人: 賈玉姣

1.一種紫外寬光譜無掩膜光刻成像系統(tǒng)，其特征在于，包括：第一鏡頭組件、光闌以及第二鏡頭組件，所述第一鏡頭組件的焦距為f1，所述第二鏡頭組件的焦距為f2，紫外寬光譜無掩膜光刻成像系統(tǒng)的焦距為f，所述紫外寬光譜無掩膜光刻成像系統(tǒng)滿足關(guān)系式：0.05≤f1/f≤0.09，0.21≤f2/f≤0.41；

所述第一鏡頭組件包括：第一透鏡、第二透鏡、第三透鏡、第四透鏡、第五透鏡、第六透鏡、第七透鏡、第八透鏡、第九透鏡，所述第二鏡頭組件包括：第十透鏡、第十一透鏡、第十二透鏡，所述第一透鏡到所述第十二透鏡沿光軸從物側(cè)到像側(cè)依次設(shè)置，且所述第一透鏡到所述第十二透鏡均為單透鏡，所述光闌位于所述第一鏡頭組件和所述第二鏡頭組件之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紫外寬光譜無掩膜光刻成像系統(tǒng)，其特征在于，

所述第一透鏡的折射率Nd和阿貝數(shù)Vd滿足關(guān)系式：1.40≤Nd≤1.50，80≤Vd≤85；

所述第二透鏡的折射率Nd和阿貝數(shù)Vd滿足關(guān)系式：1.40≤Nd≤1.55，60≤Vd≤65；

所述第三透鏡的折射率Nd和阿貝數(shù)Vd滿足關(guān)系式：1.40≤Nd≤1.50，80≤Vd≤85；

所述第四透鏡的折射率Nd和阿貝數(shù)Vd滿足關(guān)系式：1.70≤Nd≤1.75，50≤Vd≤55；

所述第五透鏡的折射率Nd和阿貝數(shù)Vd滿足關(guān)系式：1.40≤Nd≤1.50，80≤Vd≤85；

所述第六透鏡的折射率Nd和阿貝數(shù)Vd滿足關(guān)系式：1.70≤Nd≤1.75，50≤Vd≤55；

所述第七透鏡的折射率Nd和阿貝數(shù)Vd滿足關(guān)系式：1.40≤Nd≤1.50，80≤Vd≤85；

所述第八透鏡的折射率Nd和阿貝數(shù)Vd滿足關(guān)系式：1.40≤Nd≤1.50，80≤Vd≤95；

所述第九透鏡的折射率Nd和阿貝數(shù)Vd滿足關(guān)系式：1.40≤Nd≤1.50，80≤Vd≤85；

所述第十透鏡的折射率Nd和阿貝數(shù)Vd滿足關(guān)系式：1.55≤Nd≤1.65，35≤Vd≤45；

所述第十一透鏡的折射率Nd和阿貝數(shù)Vd滿足關(guān)系式：1.60≤Nd≤1.65，30≤Vd≤40；

所述第十二透鏡的折射率Nd和阿貝數(shù)Vd滿足關(guān)系式：1.65≤Nd≤1.75，50≤Vd≤60。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紫外寬光譜無掩膜光刻成像系統(tǒng)，其特征在于，所述第一透鏡、所述第八透鏡、所述第九透鏡中至少一個為彎月透鏡；

和/或，所述第二透鏡為平凸透鏡，所述第十二透鏡為平凸透鏡。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紫外寬光譜無掩膜光刻成像系統(tǒng)，其特征在于，所述紫外寬光譜無掩膜光刻成像系統(tǒng)為雙遠心結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紫外寬光譜無掩膜光刻成像系統(tǒng)，其特征在于，所述第一透鏡、所述第四透鏡、所述第六透鏡以及所述第十透鏡為負透鏡，所述第二透鏡、所述第三透鏡、所述第五透鏡、所述第七透鏡、所述第八透鏡、所述第九透鏡、所述第十一透鏡、所述第十二透鏡為正透鏡。