[發(fā)明專利]多層基板的制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110505232.2
• 申請(qǐng)日: 2017-05-25
• 公開（公告）號(hào): CN113316329A
• 公開（公告）日: 2021-08-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 原田敏一
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社村田制作所
• 主分類號(hào): H05K3/46
• 分類號(hào): H05K3/46;H05K3/42
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 金世煜;李書慧

1.一種多層基板，具備：

層疊體，層疊有具有一面和其相反側(cè)的另一面的多張絕緣基材，多張絕緣基材包含第1絕緣基材和第2絕緣基材，所述第1絕緣基材和所述第2絕緣基材由熱塑性樹脂構(gòu)成，

第1導(dǎo)體圖案，是形成于所述第1絕緣基材的一面的含有Cu元素的導(dǎo)體箔，包含通過(guò)位于最表層而從多層基板露出的一面和比所述一面更靠近所述第1絕緣基材的另一面，

第2導(dǎo)體圖案，是形成于所述第2絕緣基材的一面或者另一面的含有Cu元素的導(dǎo)體箔，

表面處理層，設(shè)置于所述第1導(dǎo)體圖案的另一面，

第1導(dǎo)電孔，設(shè)置于所述第1絕緣基材，

在連接所述第1導(dǎo)電孔與所述第1導(dǎo)體圖案的部分的至少一部分不存在所述表面處理層，

所述第2絕緣基材與所述第1絕緣基材的另一面接合。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層基板，其中，所述多層基板進(jìn)一步具備設(shè)置于所述第2絕緣基材的第2導(dǎo)電孔，所述第1導(dǎo)電孔與所述第2導(dǎo)電孔直接接合。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多層基板，其中，所述第1導(dǎo)體圖案與所述第1導(dǎo)電孔之間形成有含有Cu元素和構(gòu)成導(dǎo)電孔形成材料的金屬元素的擴(kuò)散層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多層基板，其中，所述第1導(dǎo)電孔的材料含有Ag和Sn。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多層基板，其中，所述第1導(dǎo)電孔的材料含有Cu和Sn。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多層基板，其中，所述表面處理層是由選自Ni、Co、Pt、W和Mo中的1種以上的金屬元素構(gòu)成的層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多層基板，其中，所述第1導(dǎo)體圖案的另一面的表面粗糙度大于所述第1導(dǎo)體圖案的一面的表面粗糙度。

8.一種多層基板的制造方法，具備如下工序：

準(zhǔn)備多個(gè)絕緣基材的工序，所述絕緣基材具有一面和其相反側(cè)的另一面，由熱塑性樹脂構(gòu)成，在絕緣基材的一面形成含有形成表面處理層的Cu元素的導(dǎo)體箔；

準(zhǔn)備所述絕緣基材的工序之后，對(duì)所述多個(gè)絕緣基材形成在所述另一面?zhèn)染哂虚_口且將所述導(dǎo)體箔作為底的通孔的工序；

形成通孔的工序之后，對(duì)所述多個(gè)絕緣基材中的至少一個(gè)絕緣基材除去所述通孔的底的所述表面處理層的至少一部分的工序；

除去所述表面處理層的工序之后，在所述通孔的內(nèi)部填充導(dǎo)電孔形成材料的工序；

通過(guò)將所述多個(gè)絕緣基材一邊加壓一邊加熱而使多張所述絕緣基材一體化的工序。