[發明專利]LiF/SiOx 在審
| 申請號： | 202110505093.3 | 申請日： | 2021-05-10 |
| 公開（公告）號： | CN113293376A | 公開（公告）日： | 2021-08-24 |
| 發明（設計）人： | 顧欽 | 申請（專利權）人： | 上海大學 |
| 主分類號： | C23C28/04 | 分類號： | C23C28/04;C23C16/40;C23C16/50;C23C14/06;C23C14/35;H01M4/1391;H01M4/04;H01M4/48;H01M4/62;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 上海精晟知識產權代理有限公司 31253 | 代理人： | 肖愛華 |
| 地址： | 200444*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | lif sio base sub | ||
1.一種LiF/SiOx薄膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
將純度大于99％的銅箔作為襯底裝載在等離子體增強化學氣相沉積的腔室內；
對所述腔室抽真空，待所述蒸鍍腔體的真空度達到10-4Pa，通入反應源氣體SiH4和N2O；
調節射頻功率使反應源氣體變為等離子態并打在襯底上，進行鍍膜；
鍍膜完成后關閉射頻裝置，停止抽真空，待冷卻至室溫取出SiOx薄膜樣品；
將SiOx薄膜放入磁控濺射腔室內的基板上，并裝上LiF靶材；
抽真空度至10-4Pa，通入氬氣；
調節射頻功率，將LiF濺射在SiOx薄膜上；
濺射完成后待冷卻至室溫取出制備的LiF/SiOx薄膜材料。
2.根據權利要求1所述的LiF/SiOx薄膜的制備方法，其特征在于，所述銅箔的純度大于99.9％，厚度為8-10μm。
3.根據權利要求1所述的LiF/SiOx薄膜的制備方法，其特征在于，所述SiOx薄膜厚度約為1μm。
4.根據權利要求1所述的LiF/SiOx薄膜的制備方法，其特征在于，在將LiF濺射在SiOx薄膜上的過程中，射頻功率為60W。
5.根據權利要求1所述的LiF/SiOx薄膜的制備方法，其特征在于，在等離子體增強化學氣相沉積的腔室內設置有基板，襯底安裝在所述基板上。
6.根據權利要求5所述的LiF/SiOx薄膜的制備方法，其特征在于，在通入反應源氣體SiH4和N2O的步驟之前，通入氬氣對所述基板進行清洗。
7.根據權利要求1所述的LiF/SiOx薄膜的制備方法，其特征在于，在對各個腔室抽真空的步驟中，先采用機械泵對所述的腔室抽真空，至真空度低于5Pa后采用分子泵進一步抽真空。
8.根據權利要求1所述的LiF/SiOx薄膜的制備方法，其特征在于，通過晶振儀測量并控制濺射的LiF薄膜的厚度。
9.根據權利要求8所述的LiF/SiOx薄膜的制備方法，其特征在于，所述LiF薄膜的厚度控制在18-48nm范圍內。
10.一種LiF/SiOx薄膜，其特征在于，采用權利要求1至9中任意一項所述的方法制備而成。
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