[發(fā)明專利]BOD檢測(cè)的裝置和BOD的檢測(cè)方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110505041.6 | 申請(qǐng)日: | 2021-05-10 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113337390B | 公開(公告)日: | 2022-04-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 林玲;李楠 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京工商大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C12M1/38 | 分類號(hào): | C12M1/38;C12M1/34;C12M1/02;C12M1/00;B01L3/00 |
| 代理公司: | 北京潤(rùn)平知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11283 | 代理人: | 劉依云;王崇 |
| 地址: | 100048*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | bod 檢測(cè) 裝置 方法 | ||
1.一種BOD的檢測(cè)方法,其特征在于,該方法采取如下所述的BOD的檢測(cè)裝置進(jìn)行檢測(cè):該裝置包括:微生物循環(huán)培養(yǎng)系統(tǒng)(A)、恒溫系統(tǒng)(B)和檢測(cè)系統(tǒng)(C);
其中,所述微生物循環(huán)培養(yǎng)系統(tǒng)(A)包括微流控芯片(3),所述微流控芯片(3)中設(shè)置有曲折通道;
其中,所述恒溫系統(tǒng)(B)位于微生物循環(huán)培養(yǎng)系統(tǒng)(A)的下方,用于對(duì)于微生物循環(huán)培養(yǎng)系統(tǒng)(A)進(jìn)行溫度控制;
所述恒溫系統(tǒng)(B)包括恒溫控制器(6)和加熱裝置(4);
所述加熱裝置(4)選自聚酰亞胺加熱膜、陶瓷芯發(fā)熱磚和碳晶電熱膜;
所述曲折通道的寬度為0.05-3mm;
所述曲折通道的深度為200-700μm;
該方法包括:在恒溫系統(tǒng)(B)的溫度控制下,采用所述微生物循環(huán)培養(yǎng)系統(tǒng)(A)培養(yǎng)樣液中的微生物;然后將培養(yǎng)的樣液引入到檢測(cè)系統(tǒng)(C)中進(jìn)行BOD的檢測(cè);
按照如上所述,將不同濃度的液體下測(cè)定的BOD與傳統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)方法測(cè)定的BOD做函數(shù)模型,計(jì)算得對(duì)應(yīng)關(guān)系;根據(jù)該對(duì)應(yīng)關(guān)系進(jìn)而得到待測(cè)樣液的BOD值;
所述恒溫系統(tǒng)(B)的溫度控制在20-37℃。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述曲折通道為蛇形通道,Z形通道,回形通道中的至少一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法,其中,所述微生物循環(huán)培養(yǎng)系統(tǒng)(A)包括首尾連通的樣液供給裝置(1)和微流控芯片(3)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其中,所述樣液供給裝置(1)至少為兩個(gè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其中,所述微流控芯片(3)的材質(zhì)選自玻璃、PMMA。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其中,所述微流控芯片(3)的大小為(5-50)*(2-40)cm。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其中,所述微流控芯片(3)至少為1個(gè)。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其中,所述微生物循環(huán)培養(yǎng)系統(tǒng)(A)還包括多通道蠕動(dòng)泵(5),用于為微生物循環(huán)培養(yǎng)系統(tǒng)(A)提供循環(huán)輸動(dòng)力。
9.根據(jù)權(quán)利要求或2所述的方法,其中,所述檢測(cè)系統(tǒng)(C)包括檢測(cè)芯片(9)和數(shù)據(jù)采集器(12);
其中,所述檢測(cè)芯片(9)用于接收待測(cè)液,并檢測(cè)其中的溶解氧的電信號(hào);
其中,所述數(shù)據(jù)采集器(12)用于采集檢測(cè)芯片(9)檢測(cè)到的電信號(hào),并轉(zhuǎn)換、保存和輸出溶解氧含量。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其中,所述檢測(cè)芯片(9)上集成有溶解氧傳感器,用于檢測(cè)待測(cè)液中的溶解氧的電信號(hào)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法,其中,所述檢測(cè)芯片(9)的基底選自單晶硅片和ITO玻璃。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法,其中,所述檢測(cè)芯片(9)的基底為單晶硅片。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其中,所述檢測(cè)芯片(9)包括檢測(cè)電極(16)和檢測(cè)通道(17)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法,其中,所述檢測(cè)電極(16)的材質(zhì)選自貴金屬。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法,其中,所述檢測(cè)電極(16)的材質(zhì)選自Pt和Au。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法,其中,所述檢測(cè)通道(17)的材質(zhì)選自玻璃、PMMA。
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