[發明專利]半導體器件及其制造方法和晶體管結構

在審

• 申請號: 202110504821.9
• 申請日: 2021-05-10
• 公開（公告）號: CN114388607A
• 公開（公告）日: 2022-04-22
• 發明（設計）人: 黃寅燦;全輝璨;洪炳鶴
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78;H01L27/088
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王新華

1.一種半導體器件，包括：

基板；

第一晶體管，形成在所述基板之上，并具有第一晶體管堆疊，所述第一晶體管堆疊包括多個第一溝道結構、圍繞所述多個第一溝道結構的第一柵極結構以及在所述第一晶體管堆疊的在第一溝道長度方向上的兩端處的第一源極/漏極區和第二源極/漏極區；以及

第二晶體管，在垂直方向上形成在所述第一晶體管之上，并具有第二晶體管堆疊，所述第二晶體管堆疊包括多個第二溝道結構、圍繞所述多個第二溝道結構的第二柵極結構以及在所述第二晶體管堆疊的在第二溝道長度方向上的兩端處的第三源極/漏極區和第四源極/漏極區，

其中所述第三源極/漏極區不與所述第一源極/漏極區或所述第二源極/漏極區垂直地重疊，并且所述第四源極/漏極區不與所述第一源極/漏極區或所述第二源極/漏極區垂直地重疊。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

柵極接觸結構，連接到至少所述第二柵極結構；和

第一源極/漏極接觸結構至第四源極/漏極接觸結構，從金屬層筆直向下延伸以分別連接到所述第一源極/漏極區至所述第四源極/漏極區。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其中至少所述第一源極/漏極接觸結構和所述第二源極/漏極接觸結構分別著落在所述第一源極/漏極區的頂表面和所述第二源極/漏極區的頂表面上。

4.根據權利要求2所述的半導體器件，其中所述第一源極/漏極接觸結構至所述第四源極/漏極接觸結構分別著落在所述第一源極/漏極區至所述第四源極/漏極區的頂表面上。

5.根據權利要求2所述的半導體器件，其中所述第一源極/漏極接觸結構和所述第二源極/漏極接觸結構沒有被彎曲以分別連接到所述第一源極/漏極區和所述第二源極/漏極區，或者沒有分別著落在所述第一源極/漏極區的側表面和所述第二源極/漏極區的側表面上。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一晶體管堆疊是包括多個鰭結構的鰭場效應晶體管(finFET)堆疊，以及

其中所述第二晶體管堆疊是包括多個第二納米片層的第二納米片堆疊。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一晶體管堆疊是包括多個第一納米片層的第一納米片堆疊，以及

其中所述第二晶體管堆疊是包括多個第二納米片層的第二納米片堆疊。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，其中所述多個第一納米片層在第一溝道寬度方向上的寬度相同，并且所述多個第二納米片層在第二溝道寬度方向上的寬度相同，以及

其中所述多個第一納米片層在所述第一溝道長度方向上的長度相同，并且所述多個第二納米片層在所述第二溝道長度方向上的長度相同。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，其中所述多個第一納米片層在所述第一溝道寬度方向上的所述寬度與所述多個第二納米片層在所述第二溝道長度方向上的所述長度相同。

10.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一溝道長度方向和所述第二溝道長度方向彼此不同。

11.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一柵極結構的一部分在所述第一晶體管堆疊之上延伸到所述第二晶體管堆疊的一側以連接到所述第二柵極結構。

12.根據權利要求1所述的半導體器件，其中在俯視平面圖中，所述第二晶體管堆疊包括從所述第二晶體管堆疊的至少一個邊緣突出的至少一個突起，以及

其中所述突起包括所述第一柵極結構的一部分和所述第二柵極結構的一部分。