[發(fā)明專利]一種納米光柵結構偏振器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110504416.7 | 申請日: | 2021-05-10 |
| 公開(公告)號: | CN113204068B | 公開(公告)日: | 2022-05-10 |
| 發(fā)明(設計)人: | 蘇濤;劉宇建;錢沁宇;王欽華 | 申請(專利權)人: | 揚州大學 |
| 主分類號: | G02B5/30 | 分類號: | G02B5/30 |
| 代理公司: | 南京瑞弘專利商標事務所(普通合伙) 32249 | 代理人: | 吳旭 |
| 地址: | 225009 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 納米 光柵 結構 偏振 器件 | ||
1.一種納米光柵結構偏振器件,其特征在于,包括基底,所述基底上方設有過渡層,所述過渡層上方設置一維鋁納米線柵,所述一維鋁納米線柵包括設置在所述過渡層上方的鋁光柵層以及通過PMMA介質層嵌入所述鋁光柵層中的三角形鋁光柵,光線從所述基底向光柵方向入射;所述基底材料為硒化鋅,所述過渡層由下方的氟化鎂過渡層以及上方的硫化鋅過渡層構成,所述氟化鎂過渡層厚度H1為100nm~200nm,所述硫化鋅過渡層厚度H2為0~50nm,所述鋁光柵層厚度H3為150nm~200nm,所述PMMA介質層厚度H4為250nm~300nm;所述三角形鋁光柵高度H5為150nm~200nm,三角形鋁光柵周期P為150~300nm,占空比DC=W/P取0.5~0.7。
2.根據(jù)權利要求1所述的納米光柵結構偏振器件,其特征在于,所述氟化鎂過渡層厚度H1=100nm,所述硫化鋅過渡層厚度H2=25nm,所述鋁光柵層厚度H3=200nm,所述PMMA介質層厚度H4=250nm;所述三角形鋁光柵高度H5=200nm,三角形光鋁柵周期P=150nm,光柵脊寬W=105nm,占空比DC=0.7。
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