[發明專利]半導體器件及其制造方法以及用于生成布局圖的系統

有效

• 申請號: 202110502362.0
• 申請日: 2021-05-08
• 公開（公告）號: CN113299609B
• 公開（公告）日: 2023-09-12
• 發明（設計）人: 陳志良;吳國暉;田麗鈞
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L27/02;H01L27/092;G06F30/392
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

一種半導體器件包括具有有源區的半導體襯底和設置在半導體襯底下方的第一掩埋金屬層。該第一掩埋金屬層包括第一掩埋導電軌、從第一掩埋導電軌延伸的第一組掩埋導電指和與第一組掩埋導電指交錯的第二組掩埋導電指。第一組和第二組掩埋導電指在有源區中的多于一個下方延伸。以這種方式，第一組和第二組掩埋導電指可用于在具有減小的電阻的首標電路中分配不同電壓，諸如非門控參考電壓TVDD和門控參考電壓VVDD。本發明的實施例還公開了制造半導體器件的方法以及用于生成布局圖的系統。

技術領域

本發明的實施例涉及半導體器件及其制造方法以及用于生成布局圖的系統。

背景技術

半導體集成電路(IC)行業已經生產了各種各樣的模擬和數字器件，以解決許多不同領域中的問題。隨著IC變得越來越小和越來越復雜，這些模擬和數字器件的工作電壓降低了，從而影響這些數字器件的工作電壓和整體IC性能。此外，由于泄漏電流，這些模擬和數字器件中的功耗可能增加。首標電路使用電源門控來關斷提供給未使用的IC內電路的電源。降低首標電路的電阻具有降低IC整體功耗的益處。

發明內容

根據本發明實施例的一個方面，提供了一種半導體器件，包括：半導體襯底，包括有源區，每個有源區具有在第一方向上延伸的長軸；第一掩埋金屬層，位于半導體襯底下方并包括：第一掩埋導電軌，具有在第一方向上延伸的長軸；第一組掩埋導電指，從第一掩埋導電軌延伸，其中：第一組掩埋導電指中的每個掩埋導電指具有在第二方向上延伸的長軸，第二方向基本正交于第一方向；并且第一組掩埋導電指在有源區中的多于一個下方延伸；第二組掩埋導電指，其中：第二組掩埋導電指中的每個掩埋導電指具有在第二方向上延伸的長軸；第二組掩埋導電指在有源區中的多于一個下方延伸；并且第二組掩埋導電指與第一組掩埋導電指交錯。

根據本發明實施例的另一個方面，提供了一種制造半導體器件的方法，包括：形成有源區，其中，有源區中的每個有源區具有長軸，長軸在半導體襯底上在第一方向上延伸；形成具有在第一方向上延伸的長軸的第一掩埋導電軌；以及形成從第一掩埋導電軌延伸的第一組掩埋導電指；第一組掩埋導電指中的每個掩埋導電指具有在第二方向上延伸的長軸，第二方向基本正交于第一方向；并且第一組掩埋導電指在有源區中的多于一個下方延伸；以及形成第二組掩埋導電指；第二組掩埋導電指中的每個掩埋導電指具有在第二方向上延伸的長軸；第二組掩埋導電指在有源區中的多于一個下方延伸；并且第二組掩埋導電指與第一組掩埋導電指交錯。

根據本發明實施例的又一個方面，提供了一種用于生成布局圖的系統，包括：至少一個處理器；至少一個非暫時性計算機可讀介質，存儲計算機可執行代碼；其中，至少一個非暫時性計算機可讀存儲介質、計算機程序代碼和至少一個處理器被配置為使系統生成布局圖，生成布局圖包括：生成有源區形狀，有源區形狀中的每個有源區形狀具有在半導體襯底形狀上在第一方向上延伸的長軸；生成具有在第一方向上延伸的長軸的第一掩埋導電軌形狀；生成從第一掩埋導電軌形狀延伸的第一組掩埋導電指形狀；第一組掩埋導電指形狀中的每個掩埋導電指形狀具有在第二方向上延伸的長軸，第二方向與第一方向基本正交；第一組掩埋導電指形狀在有源區形狀中的多于一個下方延伸；以及生成第二組掩埋導電指形狀；第二組掩埋導電指形狀中的每個掩埋導電指形狀具有在第二方向上延伸的長軸；第二組掩埋導電指形狀在有源區形狀中的多于一個下方延伸；并且第二組掩埋導電指形狀與第一組掩埋導電指形狀交錯。

附圖說明

當與附圖一起閱讀時，根據以下詳細描述可最好地理解本發明的各方面。應注意，根據行業中的標準實踐，各種部件未按比例繪制。實際上，為論述清楚，各種部件的尺寸可任意增加或減少。

圖1是根據本發明的一些實施例的半導體器件的框圖。

圖2A是根據一些實施例的電路圖。

圖2B是根據一些實施例的布局圖。

圖2C至圖2D是根據一些實施例的與圖2B有關的對應布局圖。

圖2E是根據一些實施例的與圖2C至圖2D有關的截面。