[發明專利]帶有端口相移的功分器及其設計方法、電子設備有效
| 申請號: | 202110497310.9 | 申請日: | 2021-05-07 |
| 公開(公告)號: | CN113422189B | 公開(公告)日: | 2022-04-22 |
| 發明(設計)人: | 李霽晨;劉開雨;李天龍;王宇 | 申請(專利權)人: | 中國科學院空天信息創新研究院 |
| 主分類號: | H01P5/16 | 分類號: | H01P5/16 |
| 代理公司: | 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270 | 代理人: | 王軍紅;張穎玲 |
| 地址: | 100190 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 帶有 端口 相移 功分器 及其 設計 方法 電子設備 | ||
1.一種帶有端口相移的功分器,其特征在于,所述功分器包括:
第一電路層,具有輸入端口傳輸線、阻抗變換傳輸線、移相器上層耦合線、移相器半波長傳輸線、移相器相位基準傳輸線和輸出端口傳輸線,所述輸入端口傳輸線與所述阻抗變換傳輸線電連接,所述輸出端口傳輸線與所述移相器相位基準傳輸線及所述移相器上層耦合線分別電連接;所述阻抗變換傳輸線與所述移相器上層耦合線電連接;所述移相器半波長傳輸線與所述移相器上層耦合線電連接且通過過孔與電路接地層電連接;所述移相器上層耦合線及所述移相器相位基準傳輸線上分別電連接有所述輸出端口傳輸線;其中,所述移相器上層耦合線包括第一移相器上層子耦合線和第二移相器上層子耦合線;
所述輸出端口傳輸線包括第一輸出端口子傳輸線和第二輸出端口子傳輸線;
所述第二移相器上層子耦合線與所述第一移相器上層子耦合線之間間隔設置;所述移相器半波長傳輸線與所述第二移相器上層子耦合線電連接;
所述第一輸出端口子傳輸線與所述第二移相器上層子耦合線電連接,所述第二輸出端口子傳輸線與所述移相器相位基準傳輸線的第二端電連接;
第二電路層,設置有缺陷地結構及接地層耦合線,所述缺陷地結構與所述阻抗變換傳輸線及移相器上層耦合線分別位置對應;所述接地層耦合線通過所述第一電路層設置的過孔與所述移相器上層耦合線電連接;
介質層,設置于所述第一電路層和所述第二電路層之間。
2.根據權利要求1所述的功分器,其特征在于,所述阻抗變換傳輸線包括第一阻抗變換子傳輸線、第二阻抗變換子傳輸線、第三阻抗變換子傳輸線和第四阻抗變換子傳輸線;
所述第一阻抗變換子傳輸線的第一端和所述第三阻抗變換子傳輸線的第一端直接電連接;所述第二阻抗變換子傳輸線的第一端和所述第四阻抗變換子傳輸線的第一端直接電連接;所述第四阻抗變換子傳輸線的第二端與所述移相器相位基準傳輸線的第一端電連接,所述第三阻抗變換子傳輸線的第二端與所述第一移相器上層子耦合線的第一端電連接;所述輸入端口傳輸線連接于所述第一阻抗變換子傳輸線和所述第二阻抗變換子傳輸線的電連接處。
3.根據權利要求2所述的功分器,其特征在于,所述接地層耦合線包括第一接地層子耦合線和第二接地層子耦合線;所述第一接地層子耦合線和所述第二接地層子耦合線分別與所述第一移相器上層子耦合線和所述第二移相器上層子耦合線的位置分別對應;
所述第一移相器上層子耦合線在所述第一電路層上的投影處設置有過孔,所述第一接地層子耦合線通過過孔與所述第一移相器上層子耦合線電連接;
所述第二移相器上層子耦合線在所述第一電路層上的投影處設置有過孔,所述第二接地層子耦合線通過過孔與所述第二移相器上層子耦合線電連接。
4.根據權利要求3所述的功分器,其特征在于,所述缺陷地結構包括第一缺陷地子結構、第二缺陷地子結構和第三缺陷地子結構;
所述第一缺陷地子結構位于所述第一阻抗變換子傳輸線下方位置;
所述第二缺陷地子結構位于所述第二阻抗變換子傳輸線下方位置;
所述第一接地層子耦合線和所述第二接地層子耦合線位于所述第三缺陷地子結構;
其中,所述第一缺陷地子結構、所述第二缺陷地子結構和所述第三缺陷地子結構通過在金屬接地平面蝕刻而分別形成。
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