[發明專利]一種三維相變存儲器及其控制方法

有效

• 申請號: 202110497138.7
• 申請日: 2021-05-07
• 公開（公告）號: CN113410381B
• 公開（公告）日: 2023-05-19
• 發明（設計）人: 劉峻;李博文
• 申請（專利權）人: 長江先進存儲產業創新中心有限責任公司
• 主分類號: H10N70/20
• 分類號: H10N70/20;H10B63/00;G11C11/56
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 李路遙;張穎玲

1.一種三維相變存儲器，其特征在于，包括：

沿第三方向依次交替堆疊分布的至少兩條導電線和至少一個相變存儲單元，每個所述相變存儲單元位于相鄰兩條導電線之間，其中，奇數條所述導電線沿第一方向延伸，偶數條所述導電線沿第二方向延伸，所述第一方向、所述第二方向與所述第三方向相互垂直；

所述相變存儲單元包括依次堆疊分布的第一電極、選通層、第二電極、相變存儲層以及第三電極；所述三維相變存儲器中的電流方向為從所述選通層流向所述相變存儲層；其中，

所述第三電極與所述相變存儲層之間的相對賽貝克系數的絕對值大于所述第二電極與所述相變存儲層之間的相對賽貝克系數的絕對值；

所述第二電極與所述選通層之間的相對賽貝克系數的絕對值大于所述第二電極與所述相變存儲層之間的相對賽貝克系數的絕對值。

2.根據權利要求1所述的三維相變存儲器，其特征在于，所述第二電極與所述選通層之間的相對賽貝克系數的絕對值大于所述第一電極與所述選通層之間的相對賽貝克系數的絕對值。

3.根據權利要求1所述的三維相變存儲器，其特征在于，所述至少一個相變存儲單元包括至少兩個沿第三方向相鄰設置的相變存儲單元，所述至少兩個相變存儲單元中的一個包括沿第三方向依次堆疊分布的第一電極、選通層、第二電極、相變存儲層和第三電極，所述至少兩個相變存儲單元中的另一個包括沿第三方向依次堆疊分布的第三電極、相變存儲層、第二電極、選通層和第一電極；且所述至少兩個相變存儲單元中的兩個相變存儲層之間的距離小于兩個選通層之間的距離。

4.根據權利要求1所述的三維相變存儲器，其特征在于，所述相變存儲層與所述第三電極之間的相對賽貝克系數的絕對值和/或所述選通層與所述第二電極之間的相對賽貝克系數的絕對值大于200mV/K。

5.一種三維相變存儲器的控制方法，其特征在于，包括：

提供三維相變存儲器，所述三維相變存儲器包括：沿第三方向依次交替堆疊分布的至少兩條導電線和至少一個相變存儲單元，每個所述相變存儲單元位于相鄰兩條導電線之間，其中，奇數條所述導電線沿第一方向延伸，偶數條所述導電線沿第二方向延伸，所述第一方向、所述第二方向與所述第三方向相互垂直；所述相變存儲單元包括沿第三方向依次堆疊分布的第一電極、選通層、第二電極、相變存儲層以及第三電極；其中，所述第三電極與所述相變存儲層之間的相對賽貝克系數的絕對值大于所述第二電極與所述相變存儲層之間的相對賽貝克系數的絕對值；

對所述導電線施加電壓，控制所述電壓使得所述三維相變存儲器中的電流方向從所述選通層流向所述相變存儲層；

所述第二電極與所述選通層之間的相對賽貝克系數的絕對值大于所述第二電極與所述相變存儲層之間的相對賽貝克系數的絕對值。

6.根據權利要求5所述的三維相變存儲器的控制方法，其特征在于，包括：

所述至少一個相變存儲單元包括至少兩個沿第三方向相鄰設置的相變存儲單元，所述至少兩個相變存儲單元中的一個包括沿第三方向依次堆疊分布的第一電極、選通層、第二電極、相變存儲層和第三電極，所述至少兩個相變存儲單元中的另一個包括沿第三方向依次堆疊分布的第三電極、相變存儲層、第二電極、選通層和第一電極；且所述至少兩個相變存儲單元中的兩個相變存儲層之間的距離小于兩個選通層之間的距離。

7.根據權利要求6所述的三維相變存儲器的控制方法，其特征在于，所述對所述導電線施加電壓，包括：

位于相鄰兩個所述相變存儲層之間的所述導電線接地或接負偏壓，其他所述導電線接正偏壓。

8.根據權利要求5所述的三維相變存儲器的控制方法，其特征在于，所述第二電極與所述選通層之間的相對賽貝克系數的絕對值大于所述第一電極與所述選通層之間的相對賽貝克系數的絕對值。